02.01 Э 538 Эльяшевич, Дмитрий Аркадьевич (профессор, доктор исторических). Аналогов пока нет [Текст] / Д. А. Эльяшевич // Библиотека. - 2005. - N 3. - Рец. на кн.: Балашова Е. В. Библиотечный дизайн: учеб. пособие для студ. вузов / Е. В. Балашова, М. Н. Тищенко, А. Н. Ванеев.- М.: Гардарики, 2004.- 282 с. . - ISSN 0869-4915
Рубрики: Библиотечное дело--Теория библиотечного дела Кл.слова (ненормированные): рецензии -- библиотековедение -- учебные пособия -- библиотечный дизайн Аннотация: Рецензия на книгу Балашовой Е. В. Библиотечный дизайн: учеб. пособие для студентов вузов. Доп.точки доступа: Балашова, Е. В. |
539.2 Б 20 Балашова, Е. В. Акустические свойства кристаллов глицин фосфита с примесью глицин фосфата [] / Е. В. Балашова, В. В. Леманов, Г. А. Панкова // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 176-183. - Библиогр.: с. 183 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): акустические аномалии; акустические свойства; аномалии; глицин фосфат; глицин фосфит; диэлектрические аномалии; кристаллы; магнетизм; переходы; свойства; сегнетоэлектрические переходы; сегнетоэлектрические фазовые переходы; сегнетоэлектричество; фазовые переходы Аннотация: В области сегнетоэлектрического фазового перехода в кристаллах глицин фосфита с примесью глицин фосфата исследованы акустические и диэлектрические аномалии. Обнаружено существенное отличие акустических аномалий от наблюдаемых в номинально чистых кристаллах глицин фосфита. Доп.точки доступа: Леманов, В. В.; Панкова, Г. А. |
539.2 Б 20 Балашова, Е. В. Диэлектрические свойства кристаллов глицин фосфита в модели фазового перехода с учетом инвариантов высокого порядка [Текст] / Е. В. Балашова, В. В. Леманов, Г. А. Панкова // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 2. - С. 331-337. - Библиогр.: с. 337 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): внутренняя макроскопическая поляризация; глицин фосфат; глицин фосфит; диэлектрическая проницаемость; поляризация; сегнетоэлектрические фазовые переходы; спонтанная поляризация; фазовые переходы Аннотация: Исследованы диэлектрические аномалии в области сегнетоэлектрического фазового перехода в номинально чистых кристаллах глицин фосфита (GPI) и кристаллах GPI с 2 mol. % примеси глицин фосфата (GP) . Показано, что присутствие в кристалле GPI-CP внутренней макроскопической поляризации, обусловленной примесью, приводит к размытию диэлектрических аномалий как вдоль, так и перпендикулярно оси спонтанной поляризации. В кристаллах GPI и GPI-GP в сегнетоэлектрической фазе обнаружено необычайное изменение обратной диэлектрической проницаемости в направлении Z, перпендикулярном оси спонтанной поляризации Y, которое описывается степенной зависимостью (T[c] - T) [n] при значении степени n больше единицы. Доп.точки доступа: Леманов, В. В.; Панкова, Г. А. |
539.2 Б 202 Балашова, Е. В. Диэлектрические свойства кристаллов глицин фосфита в модели фазового перехода с учетом инвариантов высокого порядка [Текст] / Е. В. Балашова, В. В. Леманов, Г. А. Панкова // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 2. - С. 331-337. - Библиогр.: с. 337 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): внутренняя макроскопическая поляризация; глицин фосфат; глицин фосфит; диэлектрическая проницаемость; поляризация; сегнетоэлектрические фазовые переходы; спонтанная поляризация; фазовые переходы Аннотация: Исследованы диэлектрические аномалии в области сегнетоэлектрического фазового перехода в номинально чистых кристаллах глицин фосфита (GPI) и кристаллах GPI с 2 mol. % примеси глицин фосфата (GP) . Показано, что присутствие в кристалле GPI-CP внутренней макроскопической поляризации, обусловленной примесью, приводит к размытию диэлектрических аномалий как вдоль, так и перпендикулярно оси спонтанной поляризации. В кристаллах GPI и GPI-GP в сегнетоэлектрической фазе обнаружено необычайное изменение обратной диэлектрической проницаемости в направлении Z, перпендикулярном оси спонтанной поляризации Y, которое описывается степенной зависимостью (T[c] - T) [n] при значении степени n больше единицы. Доп.точки доступа: Леманов, В. В.; Панкова, Г. А. |
Балашова, Е. В. Диэлектрические свойства пленок бетаин фосфита [Текст] / Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 3. - С. 525-532. - Библиогр.: с. 532 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки бетаин фосфита -- поликристаллические пленки -- бетаин фосфит -- монокристаллические подложки -- подоложки кварца -- подложки ниобата лития -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Поликристаллические пленки бетаин фосфита выращены на монокристаллических подложках кварца и ниобата лития с предварительно нанесенными встречно-штыревыми преобразователями. С помощью поляризационного микроскопа в режиме отражения показано, что пленки состоят из больших (до 1 nm) монокристаллических блоков. Температурные зависимости емкости пленок на частотах 120 Hz - 1MHz демонстрируют сильный максимум при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода. Исследовано смещающегося поля на диэлектрическую проницаемость пленок. Показано, что различия температурного поведения диэлектрической проницаемости в монокристаллах и пленках связаны с влиянием динамических деформаций подложки на пленку и присутствием эффективного деполяризующего поля. Доп.точки доступа: Кричевцов, Б. Б.; Леманов, В. В. |
Балашова, Е. В. Диэлектрическая проницаемость и проводимость пленок триглицинсульфата на подложках Al/SiO[2] и альфа-Al[2]O[3] [Текст] / Е. В. Балашова, Б. Б. Криченцов, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 1. - С. 119-123. - Библиогр.: с. 123 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- проводимость пленок -- триглицинсульфат -- пленки триглицинсульфата -- сегнетоэлектрические пленки Аннотация: Пленки триглицинсульфата (TGS) получены методом испарения из водного раствора на подложках из плавленого кварца, покрытых слоем термически напыленного алюминия (Al/SiO[2]), и подложках лейкосапфира (альфа-Al[2]O[3]), на поверхность которых методом фотолитографии были нанесены электроды в виде встречно-штыревой структуры. Пленки TGS имеют поликристаллическую структуру, состоящую из блоков с размерами 0. 1-0. 3 mm (Al/SiO[2]) и 0. 1x1 mm (альфа-Al[2]O[3]). Полярная ось в блоках ориентирована в основном в плоскости подложки. Температурные зависимости емкости и диэлектрических потерь в направлении, перпендикулярном плоскости пленки, и в плоскости пленки имеют максимумы при температуре, совпадающей с температурой Tc сегнетоэлектрического фазового перехода в объемном кристалле. Низкочастотная проводимость G в структурах TGS/Al/SiO[2] обладает частотной дисперсией, которая описывается зависимостью G около омега{s} (s около 0. 82). Возможным механизмом проводимости является прыжковая проводимость, обусловленная локализованными носителями с энергией основного состояния 0. 8-0. 9 eV. В пленках TGS/альфа-Al[2]O[3] при температурах выше и ниже Tc низкочастотная проводимость обусловлена термоактивационным механизмом с энергией активации 0. 9-1 eV. В области фазового перехода в структурах TGS/альфа-Al[2]O[3] появляется дополнительный вклад в проводимость, характеризующийся частотной дисперсией G около омега {0. 5}, который можно связать с релаксацией доменных стенок. Доп.точки доступа: Кричевцов, Б. Б.; Леманов, В. В. |
539.2 Б 202 Балашова, Е. В. Слабо- и сильносигнальный диэлектрический отклик в монокристаллической пленке частично дейтерированного бетаинфосфита [Текст] / Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 6. - С. 1150-1156. - Библиогр.: с. 1156 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поликристаллические пленки -- монокристаллические пленки -- бетаинфосфит -- метод испарения -- электроды Аннотация: Поли- и монокристаллические пленки дейтерированного бетаинфосфита со степенью дейтерирования ~20% выращены методом испарения на подложках NdGaO[3] (001) с предварительно нанесенной на них планарной встречно-штыревой структурой электродов. Слабосигнальный диэлектрический отклик в частотном диапазоне 0. 1-100 kHz показывает сильную аномалию емкости при переходе пленок в сегнетоэлектрическое состояние. Приложение смещающего поля приводит к подавлению и небольшому сдвигу диэлектрической аномалии в область высоких температур. Сильносигнальный диэлектрический отлик исследован методом Сойера-Тауэра в частотном диапазоне 0. 06-3 kHz в пара- и сегнетофазе. В отличие от случая плоскопараллельного конденсатора в исследованной планарной структуре петли диэлектрического гистерезиса имеют очень слабую коэрцитивность на низких частотах, которая увеличивается с повышением частоты. Такое различие объясняется разной доменной структурой, реализуемой в плоскопараллельном конденсаторе и планарной структуре в насыщающем поле. Увеличение гистерезиса с частотой в планарной структуре связывается с процессом движения доменных границ. Доп.точки доступа: Кричевцов, Б. Б.; Леманов, В. В. |
539.2 Б 202 Балашова, Е. В. Термодинамическое описание генерации второй акустической гармоники, индуцированной электрическим полем, в сегнетоэлектриках [Текст] / Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, А. К. Таганцев // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 7. - С. 1297-1300. - Библиогр.: с. 1300 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): термодинамические подходы -- модель Ландау -- Ландау модель -- генерация второй акустической гармоники -- электрическое поле -- сегнетоэлектрики Аннотация: На основе термодинамического подхода в рамках модели Ландау рассмотрено температурное поведение генерации второй акустической гармоники, индуцированной электрическим полем, при переходе кристалла в сегнетоэлектрическое состояние. Показано, что появление в сегнетоэлектрической фазе квадратичного по электрическому полю вклада в поляризацию приводит к смене знака второй акустической гармоники и изменению ее величины по сравнению с парафазой. Приводятся результаты расчета для переходов первого, второго рода и в трикритической точке. Доп.точки доступа: Кричевцов, Б. Б.; Таганцев, А. К. |
534 Б 202 Балашова, Е. В. Акустические свойства кристаллов глицинфосфита с примесью глицинфосфата в области сегнетоэлектрического фазового перехода [Текст] / Е. В. Балашова, В. В. Леманов, Г. А. Панкова // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 7. - С. 935-938. - Библиогр.: с. 938 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Акустика Кл.слова (ненормированные): акустический анализ -- фазовые переходы -- акустические аномалии -- свойства кристаллов -- глицинфосфит -- глицинфосфат -- монокристаллы Аннотация: Теоретический анализ акустических и диэлектрических свойств кристаллов проведен в модели псевдособственного сегнетоэлектрического фазового перехода. Доп.точки доступа: Леманов, В. В.; Панкова, Г. А. |
539.21:537 Н 492 Нелинейные диэлектрические свойства планарных структур на основе сегнетоэлектрических пленок бетаинфосфита / Е. В. Балашова [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 2. - С. 44-51. - Библиогр.: c. 50-51 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): планарные структуры -- сегнетоэлектрики -- бетаинфосфит -- сегнетоэлектрические пленки -- диэлектрическая нелинейность -- диэлектрический гистерезис -- фурье-спектры -- спектры Фурье -- схема Сойера-Тауэра -- Сойера-Тауэра схема -- фазовые переходы 2 рода -- коэффициент управления емкостью -- модель Ландау -- Ландау модель -- время релаксации доменных границ Аннотация: Методом испарения при комнатной температуре на подложках из NdGaO[3] (001) со встречно-штыревой системой электродов на поверхности выращены сегнетоэлектрические пленки частично дейтерированного бетаинфосфита, обладающие высокими значениями емкости в области сегнетоэлектрического фазового перехода. Диэлектрическая нелинейность полученных структур исследована в режимах слабосигнального и сильносигнального отклика, а также в переходной между этими режимами области по измерениям емкости в смещающем постоянном поле, измерениям петель диэлектрического гистерезиса и фурье-спектров выходного сигнала в схеме Сойера-Тауэра. В области фазового перехода коэффициент управления емкостью при смещающем напряжении U[bias] = 40 V составляет k =~ 7. Диэлектрическая нелинейность структур в парафазе описывается моделью Ландау фазового перехода 2-го рода. Из анализа частотных зависимостей диэлектрического гистерезиса определены времена релаксации доменных границ. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/02/p44-51.pdf Доп.точки доступа: Балашова, Е. В.; Кричевцов, Б. Б.; Свинарев, Ф. Б.; Юрко, Е. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе |
539.21:537 С 283 Сегнетоэлектрические пленки дейтерированного глицинфосфита, выращенные в атмосфере азота / Е. В. Балашова [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 22. - С. 46-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): глицинфосфит -- сегнетоэлектрические пленки -- азот -- метод испарения -- системы электродов -- диэлектрические свойства -- кристаллизация -- диэлектрический гистерезис -- температурные режимы -- распределение компонентов Аннотация: Тонкие сегнетоэлектрические пленки дейтерированного глицинфосфита выращены методом испарения в атмосфере азота на подложках NdGaO[3] и alpha-Al[2]O[3]. С помощью встречно-штыревой системы электродов, предварительно нанесенных на подложку, исследован сильно- и слабосигнальный диэлектрический отклик полученных структур. Кристаллизация пленок в атмосфере азота позволила существенно повысить (до 291 K) температуру появления петель диэлектрического гистерезиса, характеризующих переход пленки в сегнетоэлектрическое состояние. В отличие от пленок, выращенных в обычной атмосфере, слабосигнальная диэлектрическая аномалия сильно размыта по температуре, что связано с неоднородным распределением дейтерия по пленке. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/22/p46-55.pdf Доп.точки доступа: Балашова, Е. В.; Кричевцов, Б. Б.; Зайцева, Н. В.; Панкова, Г. А.; Свинарев, Ф. Б. |