539.26 В 226 Вахтель, В. М. Применение метода резерфордовского обратного рассеяния к анализу тонкопленочной системы Sn - Nb на кремнии [Текст] / В. М. Вахтель, Н. Н. Афонин [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 7. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 36 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Электростатика Кл.слова (ненормированные): Sn - Nb -- метод резерфордовского обратного рассеяния -- резерфордовское обратное рассеяние -- обратное рассеяние -- тонкопленочные системы -- кремний -- цинк -- ниобий -- монокристаллический кремний -- магнетронное осаждение -- фотонный отжиг -- рентгенофазовый анализ -- растровая электронная микроскопия -- металлические пленки -- неразрушающий анализ Аннотация: Экспериментально с помощью метода резерфордовского обратного рассеяния изучены процессы фазообразования и взаимной диффузии в послойно осажденной на подложки монокристаллического кремния тонкопленочной системе Sn - Nb. Доп.точки доступа: Афонин, Н. Н.; Логачева, В. А.; Прибытков, Д. М.; Шрамченко, Ю. С.; Ховив, А. М. |