621.3 К 906 Кулькова, С. Е. Атомная и электронная структура поверхности GaAs (001 [Текст] / С. Е. Кулькова, С. В. Еремеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 832-839 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): поверхность GaAs (001) -- GaAs (001) -- атомная структура -- электронная структура Аннотация: В рамках псевдопотенциального подхода изучена атомная структура четырех структурных реконструкций полярной поверхности GaAs (001), обогащенной галлием. Определены геометрические параметры поверхностных структур альфа-, бета-, бета2- и дзета-GaAs (001) - (4х2). Рассчитана электронная структура и относительные поверхностные энергии. Рассмотрена адсорбция цезия на Ga-стабилизированной дзета-структуре GaAs (001) - (4х2). Наибольшая энергия адсорбции (2. 57 эВ) получена в позиции S[5], которая отличается повышенной координацией атома цезия атомами мышьяка. Анализ электронной структуры позволил прояснить механизм связи цезия на поверхности GaAs (001) и вносимые им изменения в поверхностную электронную структуру подложки. Доп.точки доступа: Еремеев, С. В.; Постников, А. В.; Бажанов, Д. И.; Потапкин, Б. В. |
Терещенко, О. Е. Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs (001) при селективном воздействии йода и цезия [Текст] / О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, В. Л. Альперович // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып: вып. 1. - С. 41-44
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхструктурные переходы -- обратимые сверхструктурные переходы -- GaAs (001) -- йод -- цезий Аннотация: Экспериментально изучено селективное взаимодействие атомов йода и цезия с поверхностью GaAs (001), которое приводит к уменьшению энергии связи поверхностных атомов галлия и мышьяка, соответственно, благодаря перераспределению электронной плотности в приповерхностной области под влиянием электроотрицательных и электроположительных адсорбатов. Такое селективное взаимодействие позволяет поочередно удалять монослои галлия и мышьяка при адсорбции йода и цезия и последующем прогреве при температуре T меньше равно450 градусов C и, тем самым, осуществлять обратимые низкотемпературные переходы между Ga- и As-стабилизированными сверхструктурами, а также атомно-слоевое травление полупроводника с физически предельной, монослойной точностью. Доп.точки доступа: Торопецкий, К. В.; Альперович, В. Л. |
Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs (001) [Текст] / О. Е. Терещенко [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 4. - С. 209-214
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): Ga-обогащенные поверхности -- GaAs (001) -- структурно упорядоченные поверхности Аннотация: Поверхности GaAs (001), покрытые собственными оксидами, экспонировались в потоке атомарного водорода в температурном интервале 280-450 градусов C с целью низкотемпературного приготовления структурно упорядоченных поверхностей GaAs (001). Приготовлены новые Ga-обогащенные поверхности GaAs (001) с реконструкциями (4 х 4) и (2 х 4) /c (2 х 8), которые были изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифракции медленных электронов и спектроскопии характеристических потерь энергий электронов высокого разрешения. Для поверхности GaAs (001) - (2 х 4) предложена и рассчитана из первых принципов структура Ga-стабилизированной поверхности в модели элементарной ячейки (2 х 4) Ga-тример. Доп.точки доступа: Терещенко, О. Е.; Торопецкий, К. В.; Еремеев, С. В.; Кулькова, С. Е. |
Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs (001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия [Текст] / А. Г. Журавлев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып: вып. 5. - С. 351-356
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): GaAs (001) -- адсорбированные слои -- сурьма -- цезий -- атомные реконструкции -- электронные состояния Аннотация: В экспериментах по адсорбции и термодесорбции цезия на поверхностях GaAs (001) с различными атомными реконструкциями и составом (обогащенных катионом - галлием, и анионами - мышьяком и сурьмой) установлена корреляция в поведении атомной структуры и поверхностных электронных состояний, определяющих изгиб зон. Адсорбция Cs на анион-обогащенных поверхностях приводит как к сходному разупорядочению атомной структуры, так и к близким дозовым зависимостям изгиба зон, в то время как на Ga-обогащенной поверхности адсорбция происходит упорядоченно и приводит к качественно иной дозовой зависимости, содержащей несколько максимумов и минимумов. При десорбции цезия и в последующих адсорбционно-десорбционных циклах обнаружено стабилизирующее влияние сурьмы на атомную структуру и электронные состояния поверхности Cs/Sb/GaAs (001). Доп.точки доступа: Журавлев, А. Г.; Торопецкий, К. В.; Половодов, П. А.; Альперович, В. Л. |
621.315.592 А 327 Адсорбция хлора на поверхности InAs (001) [Текст] / А. В. Бакулин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 23-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): адсорбция хлора -- хлор -- теория функционала плотности -- электронная плотность -- InAs (001) -- индий -- стабилизированные поверхности -- GaAs (001) -- галлий -- поверхностные слои -- электронные характеристики -- димеры -- травление поверхности Аннотация: В рамках теории функционала электронной плотности проведено изучение адсорбции хлора на In-стабилизированной поверхности InAs (001) с реконструкциями zeta- (4 x 2) и beta3{'}- (4 x 2), а также на Ga-стабилизированной поверхности zeta-GaAs (001) - (4 x 2). Определены равновесные структурные параметры рассмотренных реконструкций, положения атомов поверхностных слоев, длины связей в димерах, а также их изменение при адсорбции хлора. Рассчитаны электронные характеристики чистой поверхности и с адсорбированным хлором. Показано, что наиболее энергетически выгодными позициями для адсорбции хлора являются вершинные позиции над димеризованными атомами индия или галлия. Объяснен механизм связи хлора с In (Ga) -стабилизированной поверхностью. Взаимодействие атомов хлора с димеризованными поверхностными атомами приводит к ослаблению связей поверхностных атомов и определяет начальную стадию в травлении поверхности. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p23-31.pdf Доп.точки доступа: Бакулин, А. В.; Еремеев, С. В.; Терещенко, О. Е.; Кулькова, С. Е. |
538.9 E 48 Eltsov, K. N. The switching of GaAs(001) termination by action of molecular iodine / K. N. Eltsov, A. A. Vedeneev // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 99, вып. 8. - С. 537-541
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- GaAs (001) -- структурные переходы -- молекулярный йод -- йод Доп.точки доступа: Vedeneev, A. A.; Prokhorov General Physics Institute of the RASProkhorov General Physics Institute of the RAS |