Влияние контактов металл-сегнетоэлектрик на формирование объемного заряда в сегнетоэлектрических тонкопленочных конденсаторах [Текст] / А. Б. Козырев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электростатика Энергетика Конденсаторы Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрики -- металл-сегнетоэлектрики -- конденсаторные структуры -- конденсаторы -- тонкопленочные конденсаторы -- сегнетоэлектрические тонкопленочные конденсаторы -- объемные заряды -- формирование зарядов -- пленки -- Ba[0. 3]Sr[0. 7]TiO[3] (BSTO) -- пороговые напряжения -- технологические особенности -- формирование контактов -- экспериментальные данные -- инжекция носителей заряда -- сегнетоэлектрические пленки -- Pt-BSTO -- кислородная атмосфера Аннотация: Проведены исследования быстродействия конденсаторных структур на основе пленки Ba[0. 3]Sr[0. 7]TiO[3] (BSTO) с различными условиями изготовления контакта металл-сегнетоэлектрик. Обнаружены пороговые напряжения возникновения остаточного объемного заряда. На основе сопоставления технологических особенностей формирования контактов и экспериментальных данных сделан вывод о возможности подавления инжекции носителей заряда в сегнетоэлектрическую пленку путем формирования контактов конденсатора Pt-BSTO в кислородной атмосфере. Доп.точки доступа: Козырев, А. Б.; Гайдуков, М. М.; Гагарин, А. Г.; Алтынников, А. Г.; Разумов, С. В.; Тумаркин, А. В. |