Формирование полупроводниковых 3D наноструктур на основе ZnSe [Текст] / С. В. Алышев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 75-78 : ил. - Библиогр.: с. 78 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- 3D наноструктуры -- трехмерные наноструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- слои -- бислои -- жертвенные слои -- ZnSSe/ZnSe -- селективное травление -- катодолюминесценция -- подложки -- GaAs Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs выращены наноструктуры, содержащие жертвенный слой ZnMgSSe толщиной 10 нм и напряженный бислой ZnSSe/ZnSe толщиной 20 нм. Жертвенный слой был удален селективным травлением, в результате чего были сформированы микротрубки ZnSSe/ZnSe с многослойными стенками. Доп.точки доступа: Алышев, С. В.; Забейжалов, А. О.; Миронов, Р. А.; Козловский, В. И.; Дианов, Е. М. |