530.1 O 63 Openov, L. A. Auxiliary-level-assisted operations with charge qubits in semiconductors [Text] / L. A. Openov // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 5. - Библиогр.: с. 982-983 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): q-биты -- кьюбиты -- кубиты -- квантовые биты -- квантбиты -- полупроводники -- электронный перенос |
530.1 Б 874 Брантов, А. В. Электронный перенос и диэлектрическая проницаемость в плазме с произвольным зарядом ионов [Текст] / А. В. Брантов, В. Ю. Быченков, В. Розмус // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 5. - С. 1123-1139. - Библиогр.: с. 1139 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): плазма -- ионы -- диэлектрическая проницаемость -- электронный перенос -- произвольный заряд ионов -- заряд ионов Аннотация: Рассматриваются электронный перенос и диэлектрическая проницаемость в плазме с произвольным зарядом ионов. Доп.точки доступа: Быченков, В. Ю.; Розмус, В. |
Кокканен, А. А. Эффекты электронных корреляций в модели поверхностной молекулы для адиабатических электрохимических реакций электронного переноса: учет межэлектронного отталкивания на эффективной орбитали металла [Текст] / А. А. Кокканен, А. М. Кузнецов, И. Г. Медведев // Электрохимия. - 2007. - Т. 43, N 9. - С. 1088-1102. - Библиогр.: с. 1101-1102. - Ил.: 3 рис. . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Аналитическая химия Кл.слова (ненормированные): электронные корреляции -- электрохимические реакции -- межэлектронное отталкивание -- адиабатические реакции -- корреляционные эффекты -- электронный перенос -- модель поверхностной молекулы Аннотация: Учет кулоновского отталкивания на эффективной орбитали металла и связанных с ним корреляционных эффектов является весьма существенным для ряда электрохимических реакций электронного переноса и приводит не только к изменению свободных энергий активации, но и к качественно другим формам адиабатических поверхностей свободной энергии в некоторых областях значений параметров модели. Доп.точки доступа: Кузнецов, А. М.; Медведев, И. Г. |
Жан, Я. З. Прямой электронный перенос с гемоглобина на золотой электрод, модифицированный пленкой дигексадецилгидрофосфата с одностенными углеродными нанотрубками, и взаимодействие этого электрода с таксолом [Текст] / Я. З. Жан, У. Ч. Чен, С. П. Ли // Электрохимия. - 2007. - Т. 43, N 7. - С. 801-807 : схема, 6 рис. - Библиогр.: с. 806-807 . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Аналитическая химия Кл.слова (ненормированные): углеродные нанотрубки -- электронный процесс -- золотые электроды -- пленки -- пульс-вольтамперометрия -- гемсодержащий белок -- электронный перенос Аннотация: С ростом концентрации таксола вольтамперометрический сигнал гемоглобина уменьшается. Доп.точки доступа: Чен, У. Ч.; Ли, С. П. |
Electron transport, penetration depth, and the upper critical magnetic field in ZrB[12] and MgB[2] [Текст] / V. A. Gasparov [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 1. - С. 115-124. - Библиогр.: с. 123-124 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнитное поле -- электронный перенос -- сверхпроводимость -- додекарбит магния -- магнетизм -- магний Доп.точки доступа: Gasparov, V. A.; Sidorov, N. S.; Zver'kova, I. I.; Khassanov, S. S.; Kulakov, M. P. |
Егорушкин, В. Е. Роль структурных неоднородностей в температурном поведении термоЭДС в "грязных" металлизированных нанотрубках [Текст] / В. Е. Егорушкин, Н. В. Мельникова, А. Н. Пономарев // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 3. - С. 31-41. - Библиогр.: с. 40-41 (30 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанотрубки -- структурные неоднородности -- углеродные нанотрубки -- электронный перенос Аннотация: В работе показано, что высокое значение термоЭДС S и дельтаS/дельтаT в металлизированных углеродных нанотрубках (УНТ) при низких температурах определяется двумя факторами: структурными неоднородностями и изменением электронной структуры, как за счет беспорядка, так и благодаря межэлектронному взаимодействию. Первый фактор существен в пучках УНТ, а второй - в одностенных нанотрубках. При этом статические неоднородности и совокупность оборванных связей одинаково важны при рассеянии электронов, формирующих перенос в металлизированных УНТ. Доп.точки доступа: Мельникова, Н. В.; Пономарев, А. Н. |
539.21:537 Ф 534 Филиппов, В. В. Особенности распределения электрических полей в пластинах анизотропных полупроводников в поперечном магнитном поле / В. В. Филиппов, авт. Е. Н. Бормонтов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 874-881 : ил. - Библиогр.: с. 881 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электрические поля -- анизотропные полупроводники -- поперечные магнитные поля -- макроскопические модели -- эффект Холла -- Холла эффект -- магнетосопротивления -- электродинамика -- результаты расчетов -- распределение потенциала -- вихревые токи -- контакты -- анизотропия -- параметры -- физические свойства -- электронный перенос -- результаты моделирования Аннотация: Построена макроскопическая модель эффектов Холла и магнетосопротивления в анизотропных полупроводниковых пластинах. Полученные путем решения краевой задачи электродинамики результаты позволяют производить расчет распределения потенциала и вихревых токов в анизотропных полупроводниках при различных расположениях токовых контактов в зависимости от параметров анизотропии материала образца. Результаты работы имеют непосредственное практическое значение для исследования физических свойств анизотропных полупроводников и моделирования явлений электронного переноса в приборах, изготовленных на базе анизотропных полупроводников. We construct a macroscopic model of the magnetoresistanceand Hall effects in anisotropic semiconductor wafers. Obtained by solving the boundary problem of electrodynamics, the results allow calculation of potential distribution and eddy currents in anisotropic semiconductors at different locations of the current contacts, depending on the anisotropy parameters of the sample material. The results have the practical importance for the study of physical properties of anisotropic semiconductors and simulation of electron transport phenomena in devices fabricated on the basis of anisotropic semiconductors. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p874-881.pdf Доп.точки доступа: Бормонтов, Е. Н. |
547 A 60 Anodic cyclization: a protocol for the green synthesis of 2,5-disubstituted 1,3,4-oxadiazoles / S. Singh [et al.] // Химия гетероциклических соединений. - 2013. - № 10. - С. 1626-1632 : 1 рис., 1 табл., 2 cхемы. - Библиогр.: с. 1630-1632 (48 назв. ) . - ISSN 0132-6244
Рубрики: Химия Органическая химия в целом Строение органических соединений Органические реакции Органические соединения Кл.слова (ненормированные): 1, 3, 4-оксадиазолы -- платиновый анод -- контролируемый электролизный потенциал -- циклическая вольтамперометрия -- электрохимическое окисление -- электронный перенос -- зеленая химия Доп.точки доступа: Singh, S.; Sharma, L. K.; Saraswat, A.; Srivastava, M. K.; Siddiqui, I. R.; Singh, R. K. P. |