621.315.592 О-741 Осипов, К. Ю. Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов [Текст] / К. Ю. Осипов, авт. Л. Э. Великовский // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1239-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1243 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): щелевые сквозные отверстия -- GaN/Sic-транзисторы -- электроны -- индуктивно-связанная плазма -- ИСП -- травление отверстий -- пластины -- карбид кремния -- подложки -- поверхность травления -- морфология поверхности -- электрохимическое осаждение -- слои -- SiC -- металлизированные отверстия Аннотация: Исследована технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Исследованы зависимости скорости реактивно-ионного травления SiC в разряде с индуктивно-связанной плазмой от давления смеси газов SF[6]/O[2]/Ar (5-40 мТорр), высокочастотной мощности, подаваемой на нижний электрод (200-300 Вт) ; соотношения потоков рабочих газов (5: 1: (0-10) ) и температуры нижнего электрода (5-50oC). На их основе разработан процесс травления щелевых сквозных отверстий в подложках SiC диаметром 76 мм, с толщинами 50, 100 мкм, характеризующийся гладкой морфологией поверхности травления, высокой скоростью (1 мкм/мин) и низким уровнем высокочастотной мощности, вкладываемой в рязряд с индуктивно-связанной плазмой (1000 Вт). Разработанный процесс травления отверстий в подложках SiC характеризуется коэффициентом селективности S=12 и коэффициентом анизотропии травления A=13. В качестве маски для травления сквозных отверстий в подложках SiC рекомендовано использовать пленку на основе NiB. Разработаны процессы формирования металлизации сквозных отверстий с помощью электрохимического осаждения слоев Ni и Au. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1239-1243.pdf Доп.точки доступа: Великовский, Л. Э. |