Светоизлучающая диодная линейка (ламбда=3. 7 мкм) на основе InGaAsSb [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 531-536
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диодные структуры -- флип-чип линейки -- излучатели -- высокое сопротивление -- диодные лазеры Аннотация: Приведены спектральные, вольт-амперные и ватт-амперные характеристики узкозонных диодных структур p-InAsSbP/n-InGaAsSb/n\{+\}-InAs с размерами активных элементов 130x130 мкм. Проведен анализ двумерного распределения излучения образцов, выполненных в виде излучающих флип-чип линеек 1x4, включая анализ однородности излучения, и определена предельная эффективная температура, создаваемая излучателем данного типа. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Зотова, Н. В.; Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Стусь, Н. М.; Усикова, А. А.; Черняков, А. Е. |