Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда [Текст] / Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1050-1052 : ил. - Библиогр.: с. 1052 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): туннелирование электронов -- прямое туннелирование -- сверхтонкие окислы -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- электрические поля -- туннельные барьеры -- окислы -- полевые электроды -- ПЭ -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- заряды -- туннельный ток -- напряжение -- границы раздела -- ГР Аннотация: Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO[2]-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO[2] отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0. 5m0, а высота барьера меньше 3. 1 эВ. Доп.точки доступа: Гольдман, Е. И.; Гуляев, Ю. В.; Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В. |
538.9 С 340 Сибатов, Р. Т. Распределение кондактанса линейной цепочки туннельных барьеров с фрактальным беспорядком [Текст] / Р. Т. Сибатов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 9. - С. 561-565
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые проволоки -- туннельные барьеры -- кондактанс -- уравнение Дорохова-Мелло-Перейра-Кумара -- Дорохова-Мелло-Перейра-Кумара уравнение -- численное моделирование -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод Аннотация: Получены распределения кондактанса G длинной квантовой проволоки с фрактальным распределением барьеров в режиме последовательного некогерентного туннелирования. Асимптотическое поведение моментов, средней мощности дробового шума и фактора Фано находятся в согласии с результатами работы [C. W. J. Beenakker et al., Phys. Rev. B 79, 024204 (2009) ], сами распределения хорошо описывают результаты численного моделирования методом Монте-Карло. Получено уравнение для распределений сопротивления и кондактанса, которое согласуется с недавно полученным дробно-дифференциальным обобщением уравнения Дорохова-Мелло-Перейра-Кумара для квазиодномерных многоканальных неупорядоченных проводников с самоподобным распределением рассеивателей. |