Еремеев, С. В. Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI[2]) - новый класс трехмерных топологических изоляторов [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 11. - С. 664-668
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): халькогениды -- халькогениды полуметаллов -- тройные халькогениды -- топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- электронная структура -- защищенное поверхностное состояние -- дираковский конус -- диэлектрики -- запрещенная щель Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры соединений Tl-V-VI[2], где V - полуметаллы Bi и Sb, VI - халькогены Se и Te. Показано, что материалы рассмотренной серии соединений являются трехмерными топологическими изоляторами. На поверхности данных соединений присутствуют как топологически защищенное поверхностное состояние, формирующее в окрестности точки дираковский конус, так и занятые состояния типа "оборванной связи", локализованные в запрещенной щели. Доп.точки доступа: Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В. |
538.9 М 514 Меньщикова, Т. В. О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов [Текст] / Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 2. - С. 110-115
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- узкозонные полупроводники -- двумерный электронный газ -- ван-дер-ваальсовский промежуток -- трехмерные топологические изоляторы Аннотация: Представлены результаты первопринципных расчетов электронной структуры объема и поверхности (0001) узкозонных полупроводников Bi[2]Se[3], Sb[2]Te[3], Sb[2]STe[2] и Sb[2]SeTe[2]. Показано, что так же, как известные ранее Bi[2]Se[3] и Sb[2]Te[3], тройные соединения Sb[2]STe[2] и Sb[2]SeTe[2] являются трехмерными топологическими изоляторами. Проведен анализ влияния уширения подповерхностного ван-дер-ваальсовского промежутка на электронную структуру поверхности рассматриваемых соединений. Показано, что это уширение приводит к появлению новых (тривиальных) поверхностных состояний: параболического состояния и состояния М-образной формы в зоне проводимости и валентной зоне соответственно. Полученные результаты позволяют объяснить эффекты, обнаруженные в недавних фотоэмиссионных экспериментах, и выяснить причину происхождения новых состояний, возникающих благодаря адсорбции атомов на поверхности слоистых топологических изоляторов. Доп.точки доступа: Еремеев, С. В.; Чулков, Е. В. |
538.9 Т 668 Трехмерные и двумерные топологические изоляторы в слоистых соединениях Pb[2]Sb[2]Te[5], Pb[2]Bi[2]Te[5] и Pb[2]Bi[ 2]Se[5] [Текст] / И. В. Силкин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 3. - С. 234-239
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- слоистые соединения -- трехмерные топологические изоляторы -- двумерные топологические изоляторы Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры тройных соединений Pb[2]Sb[2]Te[5], Pb[2]Bi[2]Te[5] и Pb[2]Bi[2]Se[5], имеющих слоистую структуру, состоящую из девятислойных атомных блоков, разделенных ван-дер-ваальсовыми промежутками. Показано, что все рассмотренные соединения являются трехмерными (3D) топологическими изоляторами (ТИ). Обнаружена возможность существования состояния двумерного (2D) топологического изолятора в ультратонких пленках (0001) Pb[2]Sb[2]Te[5] и Pb[2]Bi[2]Te[5]. В последнем соединении наблюдаются осцилляции топологического Z[2-]-инварианта с увеличением толщины пленки. Доп.точки доступа: Силкин, И. В.; Коротеев, Ю. М.; Еремеев, С. В.; Бильмайер, Г.; Чулков, Е. В. |
538.9 M 56 Men`shov, V. N. Bound states induced by a ferromagnetic delta-layer inserted into a three-dimensional topological insulator / V. N. Men`shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 7. - С. 492-498
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- ферромагнитный дельта-слой -- связанные состояния электронов Доп.точки доступа: Tugushev, V. V.; Chulkov, E. V. |
538.9 Н 590 Нечаев, И. А. Эффекты электрон-электронного взаимодействия на поверхности трехмерных топологических изоляторов / И. А. Нечаев, авт. Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 7. - С. 528-533
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- электрон-электронное взаимодействие -- GW-приближение -- двумерные электронные системы -- плазмон-дырочное рассеяние -- плазменные сателлиты -- точка Дирака -- Дирака точка Аннотация: В рамках GW-приближения показано, что за счет электрон-электронного взаимодействия в спектральной функции двумерной электронной системы, сформированной электронами на поверхности топологического изолятора, появляются плазменные сателлиты. Они возникают в результате резонансного плазмон-дырочного рассеяния. Учет вклада сателлитов при вычислении одноэлектронной плотности состояний приводит к смещению минимума плотности, сопоставляемого в эксперименте с точкой Дирака, вниз по энергии. Представлен метод рассмотрения влияния вершинных поправок на полученный спектр, позволяющий выходить за пределы GW-приближения путем суммирования лестничных диаграмм в разложении как поляризационной функции, так и собственной энергии. С помощью этого метода установлено, что учет многократного электрон-дырочного рассеяния не приводит к значимым изменениям в найденном спектре. Доп.точки доступа: Чулков, Е. В. |
538.9 К 321 Квантовые осцилляции в сильнолегированных халькогенидах висмута / М. В. Голубков [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 98, вып. 8. - С. 533-538
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- осцилляции Шубникова-де Гааза -- Шубникова-де Гааза осцилляции -- холловские осцилляции Аннотация: Сообщается о наблюдении осцилляций Шубникова-де Гааза и холловских осцилляций в высококачественных монокристаллах Bi[2-x]Cu[x]Se[3]. Вращением образцов в магнитном поле доказано, что эти осцилляции возникают из двумерных поверхностных состояний в трехмерных монокристаллах и зависят только от перпендикулярной компоненты магнитного поля. Доп.точки доступа: Голубков, М. В.; Горина, Ю. И.; Калюжная, Г. А.; Князев, Д. А.; Романова, Т. А.; Родин, В. В.; Садаков, А. В.; Сентюрина, Н. Н.; Степанов, В. А.; Черноок, С. Г.; Веденеев, С. И.; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН |
538.9 M 56 Men`shov, V. N. Engineering near-surface electron states in three-dimensional topological insulators / V. N. Men`shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 98, вып. 10. - С. 676-681
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- поверхностные электронные состояния Доп.точки доступа: Tugushev, V. V.; Chulkov, E. V.; National Research Centre "Kurchatov Institute"; Tomsk State UniversityNational Research Centre "Kurchatov Institute"; Tomsk State University; Tomsk State University; Prokhorov General Physics Institute of the RAS; Centro Mixto CSIC-UPV/EHU (Spain) |