Комаров, В. Н. Расчет концентрационных зависимостей транспортных характеристик бинарных смесей плотных газов [Текст] / В. Н. Комаров, А. Б. Рабинович, Ю. К. Товбин // Теплофизика высоких температур. - 2007. - Т. 45, N 4. - С. 518-527 . - ISSN 0040-3644
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): газы -- плотные газы -- бинарные смеси газов -- транспортные характеристики -- концентрационные зависимости -- диффузия -- вязкость -- модель решеточного газа Аннотация: Коэффициенты диффузии и вязкости смесей бинарных газов рассчитаны с использованием модифицированной модели решеточного газа. Данная модель, помимо собственного объема компонентов и взаимодействия между атомами в квазихимическом приближении, сохраняющем эффекты прямых корреляций ближнего порядка, учитывает трехчастичные взаимодействия, исключенный объем и более точное поведение изотерм в окрестности критических точек с помощью калибровочных функций. Модель позволяет проводить расчеты как ниже, так и выше критической температуры. Cопоставлены результаты расчетов обобщенной диаграммы коэффициента самодиффузии и плотностной зависимости вязкости, построенных по экспериментальным данным, с расчетами по решеточной модели. Приведены расчеты коэффициентов взаимной диффузии и вязкости смеси Ar + N[2] в широком температурном и плотностном диапазоне. Доп.точки доступа: Рабинович, А. Б.; Товбин, Ю. К. |
Смирнов, А. А. Кинетические и транспортные характеристики процессов под действием электронного удара в НВr [Текст] / А. А. Смирнов, А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2009. - Т. 52, вып: вып. 11. - С. 48-51 : 3 рис. - Библиогр.: с. 51 (17 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Химия плазмы Кл.слова (ненормированные): сечение соударения -- электронные удары -- распределение электронов -- бромистый водород -- транспортные характеристики -- плазмохимические технологии Аннотация: Работа посвящена плазмохимическим технологиям. Доп.точки доступа: Ефремов, А. М.; Светцов, В. И. |
Проводимость La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3-delta] пленок при малых отклонениях от стехиометрического состава по кислороду [Текст] / В. Н. Варюхин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 20. - С. 19-26 : ил. - Библиогр.: с. 25-26 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): транспортные характеристики -- оптические характеристики -- пленки -- эпитаксиальные пленки -- La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3-delta] -- проводимость пленок -- малые отклонения -- стехиометрические составы -- кислород -- кислородный дефицит -- изменение кислородного дефицита -- процесс многоступенчатой процедуры отжига -- оценка дефектности материала -- постоянный ток -- температура -- температурные изменения -- оптическая проводимость -- излучение -- энергия излучения -- оптические исследования -- механизмы проводимости Аннотация: Изучена динамика транспортных и оптических характеристик эпитаксиальных La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3-delta] (LSMO) пленок при изменении кислородного дефицита в процессе многоступенчатой процедуры отжига. Предложена иерархическая схема оценки дефектности материала пленок исходя из минимальной величины проводимости (sigma[dc] (T) ), измеренной на постоянном токе, а также диапазона ее температурного изменения. Установлено, что величина оптической проводимости (sigma[opt]) при энергии кванта излучения 2 eV является предельно достижимой для минимальной величины sigma[dc] (T) в бездефицитной по кислороду пленке. Последний вывод не противоречит данным более ранних оптических исследований и согласуется с представлениями о действующих механизмах проводимости. Доп.точки доступа: Варюхин, В. Н.; Медведев, Ю. В.; Николаенко, Ю. М.; Мухин, А. Б.; Беляев, Б. В.; Грицких, В. А.; Жихарев, И. В.; Кара-Мурза, С. В.; Корчикова, Н. В.; Тихий, А. А. |
678.6 Б 614 Бильдюкевич, А. В. (член-корреспондент НАН). Влияние порообразователей на свойства полиэфирсульфоновых мембран [Текст] / А. В. Бильдюкевич, С. А. Праценко, Т. В. Плиско // Химическая технология. - 2012. - № 3. - С. 174-178. - Библиогр.: с. 178 (14 назв. ) . - ISSN 1684-5811
Рубрики: Химическая технология Гетероцепные полимеры и пластмассы на их основе Кл.слова (ненормированные): полиэфирсульфоновые мембраны -- пористые пленки -- порообразователи -- морфология мембран -- число осаждения -- транспортные характеристики Аннотация: Исследовано влияние добавок осадителей в формовочные растворы полиэфирсульфона на структуру и проницаемость пористых пленок. Доп.точки доступа: Праценко, С. А. (кандидат химических наук); Плиско, Т. В. |
538.945 Э 455 Электронный транспорт в мезоскопических контактах сверхпроводник/двумерный электронный газ в сильном магнитном поле. [Текст] / И. Е. Батов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 934-936. - Библиогр.: c. 936 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): S/2DEG/N-структуры -- вольт-амперные характеристики -- гибридные структуры -- мезоскопические контакты -- одиночные гетеропереходы InGaAs-InP -- осцилляции магнетосопротивления -- теория магнетотранспорта -- транспортные характеристики -- электронный транспорт Аннотация: Исследованы гибридные структуры сверхпроводник/двумерный электронный газ (S/2DEG) на основе одиночных гетеропереходов InGaAs-InP с высокоподвижным двумерным электронным газом и сверхпроводящих NbN-электродов. Доп.точки доступа: Батов, И. Е.; Schraepers, Th.; Щелкачев, Н. М.; Golubov, A. A.; Hardtdegen, H.; Ustinov, A. V. |
538.931 В 162 Вальков, В. В. Проявление неупругих эффектов в транспортных характеристиках спиновых наноструктур [Текст] / В. В. Вальков, авт. С. В. Аксенов // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 5. - С. 763-765. - Библиогр.: c. 765 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовый транспорт -- магнитосопротивление -- неупругие эффекты -- переходные металлы -- пики прозрачности -- спиновые наноструктуры -- спин-флоп-процессы -- транспортные характеристики -- энергетическая зависимость Аннотация: Исследована роль неупругих спин-зависящих эффектов в транспорте спин-поляризованного электрона через модельные наноструктуры: двух-, четырех- и шестиспиновые кластеры. Показано, что индуцированные за счет s-d (f) -обменного взаимодействия электрона с нанокластером спин-флоп-процессы приводят к изменению потенциального профиля и к качественной модификации энергетической зависимости транспортных характеристик. Доп.точки доступа: Аксенов, С. В. |
543.62 П 845 Процессы синтеза, структура и проводимость керамики BINBVOX / Е. С. Буянова [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2013. - Т. 58, № 3. - С. 306-311 : рис. - Библиогр.: с. 311 (16 назв.)
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- спекание -- ионная проводимость -- транспортные характеристики -- электропроводность Аннотация: Посвящен исследованию процессов получения, структуры и электропроводности твердых растворов. Доп.точки доступа: Буянова, Е. С.; Морозова, М. В.; Емельянова, Ю. В.; Петрова, С. А.; Захаров, Р. Г.; Жуковский, В. М. |
543.62 С 873 Структура и электропроводность BI[26]MO[10]O[69], допированного кобальтом / З. А. Михайловская [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2013. - Т. 58, № 6. - С. 787-792 : рис. - Библиогр.: с. 792 (26 назв.)
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Химия твердого тела Электрохимия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- транспортные характеристики -- структуры -- висмут -- молибден Аннотация: Исследовано замещение позиций висмута и молибдена в Bi26Mo10O69 на атомы кобальта. Доп.точки доступа: Михайловская, З. А.; Буянова, E. C.; Петрова, С. А.; Морозова, М. В.; Захаров, Р. Г.; Жуковский, В. М. |
539.2 Ц 387 Центры рекомбинации и прилипания в чистых и легированных кристаллах TlBr / И. М. Газизов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1153-1163 : ил. - Библиогр.: с. 1163 (39 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): широкозонные полупроводники -- детекторы -- gamma-излучение -- рекомбинация -- собственные дефекты -- дефекты -- легированные монокристаллы -- монокристаллы -- кристаллы -- чистые монокристаллы -- электрофизические свойства -- температурные зависимости -- фотопроводимость -- релакционная спектроскопия -- глубокие уровни -- микрокатодолюминесценция -- носители зарядов -- транспортные характеристики -- энергетические уровни -- кулоновские ловушки -- катионные вакансии -- анионные вакансии Аннотация: TlBr является перспективным широкозонным полупроводником для создания детекторов gamma-излучения. Одним из сдерживающих факторов развития технологии изготовления детекторов является отсутствие экспериментально установленных центров прилипания и рекомбинации. В работе дана обобщенная модель возникновения и поведения собственных дефектов в чистых и легированных монокристаллах TlBr, установлена их связь с условиями роста и электрофизическими свойствами. В качестве объектов для анализа использовались ранее полученные температурные зависимости фотопроводимости, данные токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и микрокатодолюминесценции, кинетические характеристики фотопроводимости. Показано значение компенсации заряженных центров, определяющих транспортные характеристики носителей заряда. В компенсированных легированных кристаллах TlBr произведение подвижности и времени жизни может достигать mutau=5 x 10{-4} см{2} x B{-1}. Предложена энергетическая диаграмма локальных уровней в чистых и легированных кристаллах TlBr. Определены энергии залегания основных структурных и примесных дефектов в TlBr: анионной вакансии V[a]{+} и катионной вакансии V[c]{-}, ионов Pb{2+}, O{2-}, S{2-}. Энергетическое положение одиночной анионной вакансии составляет E[c]-0. 22 эВ. Глубина залегания катионной вакансии составляет E[v]+0. 85 эВ для изолированной катионной вакансии и E[v]+0. 58 эВ в составе комплекса {Pb{2+} V[c]{-}}0. Энергетический уровень кулоновской ловушки Pb{2+} в легированных кристаллах TlBr имеет энергию E[c]-0. 08 эВ. TlBr is a promising wide-gap semiconductor to create-radiation detectors. One of the limiting factors for development of the technology of detectors is the lack of experimentally determined centers of trapping and recombination. In the paper a generalized model of the emergence and behavior of intrinsic defects in pure and doped TlBr single crystals is given. The relationship of intrinsic defects with growth conditions and electrophysical properties is examined. The previously obtained temperature dependences of photoconductivity, the curves of current deep level transient spectroscopy and microcathodoluminescence, kinetic characteristics of the photoconductivity are used as analyzed objects. It is shown that compensation of charged centers determines the transport properties of the charge carriers. The product of the mobility and the lifetime of electrons can reach mutau = 5 x 10{-4} cm{2} x V (-1} in compensated doped crystals TlBr. The energy level diagram in pure and doped crystals TlBr is given. The ionization energies of major structural and impurity defects in TlBr - anion vacancy V{+}[a], cation vacancy V[-]{c}, ions Pb{2+}, O{2-}, S{2-} - are obtained. The energy of the vacancy V{+}[a] level is Ev - 0. 22 eV. The energy level of the cation vacancy is E[v] + 0. 85 eV for the isolated cation vacancy and E[v] + 0. 58 eV for the vacancy in the complex {Pb{2+}V{-}[c] }{0}. The ionization energy of the Coulomb trap Pb{2+} ion is Ec - 0. 08 eV in doped crystals TlBr. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1153-1163.pdf Доп.точки доступа: Газизов, И. М.; Залетин, В. М.; Говорков, А. В.; Кузнецов, М. С.; Лисицкий, И. С.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; ОАО "Институт физико-технических проблем" (Дубна); Университет "Дубна"; OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва) |
666.3/.7 Х 177 Халькогенидные стекла на основе As[2]S[3]-Ag[2]S-TlI как перспективный материал для твердофазных химических сенсоров / Д. С. Калягин [и др.]. // Журнал прикладной химии. - 2014. - Т. 87, вып. 8. - С. 1059-1063. - Библиогр.: с. 1063 (28 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химическая технология Стекло и стеклоизделия Кл.слова (ненормированные): мембранные материалы -- сульфид серебра -- транспортные характеристики -- халькогенидные стекла -- химические сенсоры Аннотация: Изучены транспортные характеристики, проводимость и диффузия в халькогенидных мембранных материалах. Созданы новые химические сенсоры. Доп.точки доступа: Калягин, Д. С.; Ермоленко, Ю. Е.; Алексеев, И. Е.; Бычков, Е. А.; Кротов, С. А.; Мельникова, Н. А.; Мурин, И. В.; Власов, Ю. Г.; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет |