58 Л 79 Лось, Д. А. Молекулярные механизмы холодоустойчивости растений [] / Д. А. Лось // Вестник Российской академии наук. - 2005. - Т. 75, N 4. - С. 338-345. - Библиогр.: с. 344-345 (31 назв. ) . . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Биология--Ботаника Кл.слова (ненормированные): растения -- холодоустойчивость растений -- молекулярные механизмы -- механизмы молекулярные -- метаболизм -- генетическая инженерия -- инженерия генетическая -- адаптация -- температурные изменения -- изменения температурные Аннотация: Все живые организмы испытывают суточные и сезонные изменения температуры. Однако если теплокровные животные и птицы эффективно регулируют температуру тела при охлаждении могут двигаться, мигрировать, замедлять метаболизм или впадать в спячку, то растения лишены таких возможностей. Они вынуждены произрастать на определенной территории и адаптироваться ко всем изменениям окружающей среды. От способности растений выдерживать неблагоприятные погодные условия напрямую зависит урожайность сельскохозяйственных культур, а значит и наш пищевой рацион, поэтому изучение молекулярных механизмов адаптации растений к неблагоприятным факторам не только увлекательная научная, но практически важная задача. |
58 Л 79 Лось, Д. А. Молекулярные механизмы холодоустойчивости растений [] / Д. А. Лось // Вестник Российской академии наук. - 2005. - Т. 75, N 4. - С. 338-345. - Библиогр.: с. 344-345 (31 назв. ) . . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Биология--Ботаника Кл.слова (ненормированные): растения -- холодоустойчивость растений -- молекулярные механизмы -- механизмы молекулярные -- метаболизм -- генетическая инженерия -- инженерия генетическая -- адаптация -- температурные изменения -- изменения температурные Аннотация: Все живые организмы испытывают суточные и сезонные изменения температуры. Однако если теплокровные животные и птицы эффективно регулируют температуру тела при охлаждении могут двигаться, мигрировать, замедлять метаболизм или впадать в спячку, то растения лишены таких возможностей. Они вынуждены произрастать на определенной территории и адаптироваться ко всем изменениям окружающей среды. От способности растений выдерживать неблагоприятные погодные условия напрямую зависит урожайность сельскохозяйственных культур, а значит и наш пищевой рацион, поэтому изучение молекулярных механизмов адаптации растений к неблагоприятным факторам не только увлекательная научная, но практически важная задача. |
Изменения климата на северо-западе Японского моря [Текст] // Природа. - 2004. - N 11. - С. 82 . - ISSN 0032-874X
Рубрики: Геофизика--Азия--Японское море--залив Петра Великого Климатология Кл.слова (ненормированные): метеорология -- климат -- изменения климата -- глобальное потепление -- температурные изменения -- климатические особенности Аннотация: Об изучении изменчивости температурного режима прибрежных районов залива Петра Великого (северо-западная часть Японского моря) для оценки возможности последствий изменений климата и их воздействия на окружающую среду. |
Исследования палеоботаников вызывают мультидисциплинарный интерес [Текст] : обсуждение научного сообщения / материалы обсужд. подгот. Г. В. Чуба // Вестник Российской академии наук. - 2009. - Т. 79, N 5. - С. 394-396 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Геофизика Климатология Кл.слова (ненормированные): глобальное потепление -- изменение климата -- изменения температурные -- палеоботаники -- палеоисследования -- потепление глобальное -- температурные изменения Аннотация: В статье содержится обсуждение научного сообщения, касающегося проблем связанных с глобальным потеплением. Доп.точки доступа: Чуба, Г. В. \.\; Леонов \ю. Г.\; Шило \н. А.\; Голицин \г. С.\; Лаверов \н. П.\; Осипов \ю. С.\ |
Проводимость La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3-delta] пленок при малых отклонениях от стехиометрического состава по кислороду [Текст] / В. Н. Варюхин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 20. - С. 19-26 : ил. - Библиогр.: с. 25-26 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): транспортные характеристики -- оптические характеристики -- пленки -- эпитаксиальные пленки -- La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3-delta] -- проводимость пленок -- малые отклонения -- стехиометрические составы -- кислород -- кислородный дефицит -- изменение кислородного дефицита -- процесс многоступенчатой процедуры отжига -- оценка дефектности материала -- постоянный ток -- температура -- температурные изменения -- оптическая проводимость -- излучение -- энергия излучения -- оптические исследования -- механизмы проводимости Аннотация: Изучена динамика транспортных и оптических характеристик эпитаксиальных La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3-delta] (LSMO) пленок при изменении кислородного дефицита в процессе многоступенчатой процедуры отжига. Предложена иерархическая схема оценки дефектности материала пленок исходя из минимальной величины проводимости (sigma[dc] (T) ), измеренной на постоянном токе, а также диапазона ее температурного изменения. Установлено, что величина оптической проводимости (sigma[opt]) при энергии кванта излучения 2 eV является предельно достижимой для минимальной величины sigma[dc] (T) в бездефицитной по кислороду пленке. Последний вывод не противоречит данным более ранних оптических исследований и согласуется с представлениями о действующих механизмах проводимости. Доп.точки доступа: Варюхин, В. Н.; Медведев, Ю. В.; Николаенко, Ю. М.; Мухин, А. Б.; Беляев, Б. В.; Грицких, В. А.; Жихарев, И. В.; Кара-Мурза, С. В.; Корчикова, Н. В.; Тихий, А. А. |
Повзнер, А. А. Особенности электронной структуры и магнитной восприимчивости delta-плутония [Текст] / А. А. Повзнер, А. Г. Волков, А. Н. Филанович // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 23. - С. 47-54 : ил. - Библиогр.: с. 53-54 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронные структуры -- магнитная восприимчивость -- особенности структуры -- плутоний -- delta-плутоний -- обобщенные модели -- электроны -- движение электронов -- зонное движение электронов -- внутриузельные взаимодействия -- межузельные взаимодействия -- электронные состояния -- плотность электронных состояний -- спиновая магнитная восприимчивость -- орбитальная магнитная восприимчивость -- delta-фазы -- стабилизированные delta-фазы -- электронные спектры -- флуктуирующие внутренние обменные поля -- магнитные моменты -- температурно-индуцированные локальные магнитные моменты -- числа заполнения -- температурные изменения -- зарядовые флуктуации -- спиновые флуктуации Аннотация: В рамках обобщенной s (p) df-модели, учитывающей наряду с зонным движением электронов их внутриузельные и межузельные взаимодействия, осуществляются расчеты плотности электронных состояний, обменноусиленной спиновой и орбитальной магнитной восприимчивости плутония в области существования стабилизированной delta-фазы. Показано, что расщепление электронного спектра флуктуирующими внутренними обменными полями приводит к формированию температурно-индуцированных локальных магнитных моментов, температурным изменениям чисел заполнения d, f-зон и к возникновению зарядовых флуктуаций индуцированных спиновыми флуктуациями. Доп.точки доступа: Волков, А. Г.; Филанович, А. Н. |
621.315.592 С 794 Степанов, Н. П. Природа диамагнитного максимума в температурных зависимостях магнитной восприимчивости кристаллов твердых растворов (Bi[2-x]Sb[x])Te[3] (0 меньше X меньше 1) [Текст] / Н. П. Степанов, В. Ю. Наливкин, А. К. Гильфанов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1004-1011 : ил. - Библиогр.: с. 1010 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): температурные зависимости -- магнитная восприимчивость -- кристаллы -- твердые растворы -- СКВИД-магнетометры -- диамагнитная восприимчивость -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- энергетические спектры -- легкие диамагнитные дырки -- диамагнитные дырки -- дырки -- плазменные колебания -- температурные изменения -- носители заряда -- напряженность поля -- магнитные поля -- экспериментальные результаты -- анализ результатов Аннотация: Исследованы температурные зависимости магнитной восприимчивости chi кристаллов твердых растворов (Bi[2-x]Sb[x]) Te[3] (0 меньше X меньше 1) на СКВИД-магнетометре в диапазоне температур от 2 до 400 K, при параллельной и перпендикулярной ориентациях вектора напряженности магнитного поля H по отношению к тригональной оси кристалла C3 ( H || C[3] и H normal C[3]). Обнаружено увеличение диамагнитной восприимчивости образцов с x=0. 2 (Bi[1. 8]Sb[0. 2]Te[3]), x=0. 5 (Bi[1. 5]Sb[0. 5]Te[3]) в диапазоне от 50 K до температур, предшествующих наступлению собственной проводимости (250 K). Установлено, что диамагнитный максимум проявляется в том же температурном диапазоне, в котором наблюдается аномальное увеличение коэффициента Холла. Показано, что природа диамагнитного максимума связана с непараболичностью энергетического спектра легких диамагнитных дырок, уменьшение концентрации которых сопровождается уменьшением их эффективных масс, что обеспечивает увеличение диамагнитной восприимчивости с ростом температуры. Полученные результаты подтверждаются динамикой температурного изменения резонансной частоты плазменных колебаний свободных носителей заряда. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1004-1011.pdf Доп.точки доступа: Наливкин, В. Ю.; Гильфанов, А. К. |
550.36 Т 327 Температурные изменения в скважине kun-1(о. Кунашир), вызванные землетрясением Тохоку (11.03.2011 г., M=9.0) / Д. Ю. Демежко [и др.] // Доклады Академии наук. - 2012. - Т. 445, № 2, июль. - С. 200-204 : 3 рис. - Библиогр. : с. 204 (11 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геофизика Геотермия Кл.слова (ненормированные): температурные изменения -- тектонические силы -- сейсмические колебания земли Аннотация: Исследованы температурные изменения в скважине на о. Кунашир, вызванные землетрясением Тохоку. Доп.точки доступа: Демежко, Д. Ю.; Юрков, А. К.; Уткин, В. И.; Щапов, В. А. |
552 М 627 Минюк, П. С. Магнитные и термомагнитные свойства вивианитовых конкреций из осадков озера Эльгыгытгын / П. С. Минюк, Н. А. Горячев, Т. В. Субботникова // Доклады Академии наук. - 2012. - Т. 447, № 1, ноябрь. - С. 90-92 : 3 рис. - Библиогр. : с. 92 (8 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геология Петрография Кл.слова (ненормированные): радиологические методы -- палеомагнитные методы -- железосодержащие минералы -- аутигенные вивианиты -- конкреции вивианита -- сульфиды железа -- температурные изменения Аннотация: Выявлено, что вивианитовые конкреции вносят значительный вклад в МВ осадков озера Эльгыгытгын. Доп.точки доступа: Горячев, Н. А.; Субботникова, Т. В. |
535.31 О-923 Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры p-InAsSbP/n-InAs / Н. Д. Ильинская [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 18. - С. 45-52 : ил. - Библиогр.: с. 51-52 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): фотодиоды -- гетероструктуры -- вольтамперные характеристики -- спектральные характеристики -- сильнолегированные подложки -- температурные изменения -- токопрохождение -- диоды -- низкие температуры Аннотация: Представлен анализ вольт-амперных и спектральных характеристик фотодиодов на основе одиночной гетероструктуры p-InAsSbP/n-InAs, полученной на сильнолегированной подложке n{+}-InAs (n{+} приблизительно 10{18} cm{-3}). Показано, что при низких температурах (77 меньше T меньше 190 K) имеет место преобладание генерационно-рекомбинационного механизма токопрохождения, характерного для p-i-n-диодов. Переставлены ожидаемые параметры фотодиодов и представлены оценки параметров, достижимых с использованием данных гетероструктур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/18/p45-52.pdf Доп.точки доступа: Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Латникова, Н. М.; Лавров, А. А.; Матвеев, Б. А.; Петров, А. С.; Ременный, М. А.; Севостьянов, Е. Н.; Стусь, Н. М. |
539.21:537 М 550 Механизмы переноса заряда в диодах Шоттки на основе низкоомного CdTe:Mn / Л. А. Косяченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 907-915 : ил. - Библиогр.: с. 914-915 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): перенос заряда -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- низкоомные кристаллы -- удельное сопротивление -- электропроводность -- температурные изменения -- полупроводники -- электроны -- компенсационные эффекты -- ионизация -- обратные напряжения -- пространственные заряды -- избыточные токи -- электронные переходы -- обратные токи Аннотация: Исследованы кристаллы CdTe: Mn с удельным сопротивлением приблизительно 1 Ом·см при 300 K и диоды Шоттки на их основе. Электропроводность материала и его температурные изменения объяснены в рамках статистики электронов и дырок в полупроводнике с учетом компенсационных процессов. Определены энергия ионизации и степень компенсации доноров, ответственных за электропроводность. Показано, что при прямом включении и низких обратных напряжениях токи в диоде Шоттки Au/CdTe: Mn определяются генерацией-рекомбинацией в области пространственного заряда. При повышенных обратных смещениях (более 1. 5-2 В) избыточный ток обусловлен туннелированием электронов из металла в полупроводник, а при еще больших напряжениях (более 6-7 В) наблюдается дополнительное увеличение обратного тока благодаря лавинным процессам. CdTe: Mn crustals with a resistivity of ~ 1 Оm cm at 300 K and Schottky diodes based on them have ben investigated. Electrical conductivity of the material and its temperature variations are explained in the term of statistics of the electrons and holes in semiconductors taking into account the compensation processes. The ionization energy and the degree of compensation of donors responsible for the electrical conductivity have been determined. It was shown that under direct connection and low reverse voltages the currents in Au/CdTe: Mn Schottky diode are determined by the generation-recombination in the space charge region. At higher reverse bias (> 1. 5-2V), the excess currentis caused by tunneling of electrons from the metal into the semiconductor, and at still higher voltages (> 7. 6V), an increase in reverse current due to avalanche processes is also observed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p907-915.pdf Доп.точки доступа: Косяченко, Л. А.; Юрценюк, Н. С.; Раренко, И. М.; Склярчук, В. М.; Склярчук, О. Ф.; Захарук, З. И.; Грушко, Е. В. |