Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах [Текст] / Ф. Ф. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1042-1045 : ил. - Библиогр.: с. 1045 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag[2]Te при концентрациях акцепторов N[a]< 4. 2x10{16} см{-3} в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma (T) и термоэдс alpha0 (T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma (T) и alpha0 (T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах. Доп.точки доступа: Алиев, Ф. Ф.; Джафаров, М. Б.; Аскерова, Г. З.; Годжаев, Э. М. |
Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si (111) [Текст] / М. П. Киселюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1046-1049 : ил. - Библиогр.: с. 1049 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1. 4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si (111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si (111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок. Доп.точки доступа: Киселюк, М. П.; Власенко, А. И.; Генцарь, П. А.; Вуйчик, Н. В.; Заяц, Н. С.; Кругленко, И. В.; Литвин, О. С.; Криськов, Ц. А. |
621.315.592 Р 680 Роль собственных дефектов при расщеплении энергетических спектров носителей заряда в Ag[2]Te [Текст] / М. Б. Джафаров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 884-888 : ил. - Библиогр.: с. 888 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенные зоны -- собственные дефекты -- дефекты -- энергетические спектры -- носители заряда -- теллурид серебра -- энергетические структуры -- анализ результатов -- атомы серебра -- подрешетки Аннотация: Проведен расчет ширины запрещенной зоны и ее температурного коэффициента в зависимости от концентрации дефектов в теллуриде серебра с избытком Те и Ag. На основе полученных данных проанализирована корреляция между энергетическим спектром носителей заряда и дефектностью теллурида серебра. Установлено, что корреляция является отражением более общих фундаментальных связей между энергетической структурой и концентрацией дефектов в Ag[2]Te, обусловленных ионами и вакансиями атомов серебра в подрешетке. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p884-888.pdf Доп.точки доступа: Джафаров, М. Б.; Алиев, Ф. Ф.; Гасанова, Р. А.; Саддинова, А. А. |