Серегина, Е. В. О возможности реализации стохастической модели распределения неравновесных неосновных носителей заряда в полупроводниковом материале [Текст] / Е. В. Серегина, А. М. Макаренков, М. А. Степович // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 75-86. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): неосновные носители заряда -- стохастическая модель распределения -- полупроводникиовые материалы -- растровая электронная микроскопия -- статистический анализ -- метод статистических испытаний -- гауссов закон распределения -- электронные пучки средней энергии Аннотация: Изучены некоторые возможности реализации методики оценки статистических характеристик (математического ожидания и автокорреляционной функции) распределения неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в однородном полупроводниковом материале. Разработанная методика основана на использовании проекционного метода и применении техники матричных операторов. Предполагалось, что электрофизические параметры материала (время жизни, коэффициент диффузии и скорость поверхностной рекомбинации ННЗ) являются случайными величинами и имеют гауссов закон распределения. Рассмотрено влияние дисперсии этих величин на распределение ННЗ по глубине. Иллюстрация некоторых возможностей метода проведена для случая возбуждения ННЗ широким электронным пучком средней энергии. Доп.точки доступа: Макаренков, А. М.; Степович, М. А. |