Определение коэффициентов диффузии сульфид-ионов в твердых электролитах на основе BaSm2S4 и CaGd2S4 [Текст] / И. С. Юрлов [и др. ] // Электрохимия. - 2007. - Т. 43, N 6. - С. 670-675 : 4 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 674-675 (10 назв. ). - Публик. по докл. на VIII Совещании "Фундаментальные проблемы ионики твердого тела. " Черноголовка, 2006. . - ISSN 0424-8570
УДК
ББК 24.57
Рубрики: Химия
   Электрохимия

Кл.слова (ненормированные):
числа переноса -- твердые электролиты -- ионная проводимость -- стехиометрические соединения -- коэффициенты диффузии -- коэффициенты самодиффузии -- степени окисления
Аннотация: Определены коэффициенты самодиффузии и коэффициенты диффузии иона серы в твердых электролитах BaSm2S4 и CaGd2S4 с привлечением методов кондуктометрии и потенциостатической хроноамперометрии.


Доп.точки доступа:
Юрлов, И. С.; Ушакова, Ю. Н.; Медведева, О. В.; Калинина, Л. А.; Широкова, Г. И.; Ананченко, Б. А.




   
    Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 26-29 : ил. - Библиогр.: с. 29 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
стекла -- бинарные стекла -- халькогенидные стекла -- бинарные халькогенидные стекла -- стеклообразные сплавы -- германий -- мышьяк -- сера -- селен -- рентгенофлуоресцентный анализ -- метод рентгенофлуоресцентного анализа -- рентгенофлуоресцентные спектры -- метод стандарта -- стехиометрические соединения -- спектральные линии
Аннотация: Для определения количественного содержания германия, мышьяка, серы и селена в стеклообразных сплавах As[1-x]S[x], Ge[1-x]S[x], As[1-x]Se[x] и Ge[1-x]Se[x] методом рентгенофлуоресцентного анализа реализован метод стандарта. Использование указанной методики позволяет определить количественный состав стекол As[1-x]S[x], Ge[1-x]S[x], As[1-x]Se[x] и Ge[1-x]Se[x] с точностью ±0. 001 по параметру x.


Доп.точки доступа:
Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Смирнова, Н. Н.; Теруков, Е. И.




   
    Электрохимические свойства твердых электролитов на основе BaSm2S4 [Текст] / Ю. Н. Ушакова [и др. ] // Электрохимия. - 2009. - Т. 45, N 6. - С. 722-729 : 6 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 729 (9 назв. ) . - ISSN 0424-8570
УДК
ББК 24.7
Рубрики: Химия
   Химия высокомолекулярных соединений

Кл.слова (ненормированные):
стехиометрические соединения -- тиосамарат бария -- твердые электролиты -- ионные числа переноса -- электронные числа переноса -- ионная проводимость -- гомогенизация оксидных полупродуктов -- химические методы смешения -- механические методы смешения -- механизм дефектообразования
Аннотация: Получены твердые растворы на основе BaSm2S4-х мол. % BaS (Sm2S3). Гомогенезация оксидных полупродуктов проводилась с привлечением химических и механических методов смешения. Определена область протяженности твердых растворов, изучена комплексная электропроводность и рассчитана энергия активации электропроводности для образцов с разной предысторией. Исследованы электролитические свойства фаз на основе тиосамарата бария, предложен вакансионный механизм дефектообразования.


Доп.точки доступа:
Ушакова, Ю. Н.; Калинина, Л. А.; Юрлов, И. С.; Байдерина, Т. В.; Мурин, И. В.