ЭПР радиационно-индуцированных парамагнитных центров в аэрогеле [Текст] / Г. В. Мамин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 4. - С. 281-285 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): аэрогели -- оксид кремния -- парамагнитные центры -- рентгеновское облучение -- ЭПР Аннотация: С помощью метода ЭПР изучены образцы аэрогеля на основе оксида кремния, подвергнутые рентгеновскому облучению при комнатной температуре. Установлено возникновение трех типов парамагнитных центров: парамагнитные центры с g-фактором 2. 0035, центры, обусловленные наличием протонов в глобулах SiO[2], и центры в адсорбированной пленке на поверхности аэрогеля. При рекомбинации этих центров обнаружены быстрый (T[fast]=30 часов) и медленный (T[slow]=70 дней) процессы. Доп.точки доступа: Мамин, Г. В.; Родионов, А. А.; Тагиров, М. С.; Таюрский, Д. А.; Малдерс, Н. |
Изменения ЭПР-характеристик наноразмерных частиц диоксида циркония при рентгеновском облучении и отжиге в атмосфере водорода [Текст] / И. П. Быков и [др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 12. - С. 2214-2219. - Библиогр.: с. 2219 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноразмерные частицы -- отжиг в атмосфере водорода -- диоксид циркония -- рентгеновское облучение Аннотация: С помощью электронного парамагнитного резонанса изучены изменения свойств наноразмерных частиц диоксида циркония под влиянием различных внешних воздействий. Показано, что под действием рентгеновского облучения имеет место радиационно-стимулированное окисление примесных ионов хрома в соответствии со схемой Cr{3+} - Cr{5+}. Отжиг образцов в атмосфере водорода в температурном интервале 250-650 градС приводит к существенному уменьшению количества ионов хрома в зарядовом состоянии Cr{5+}, однако последующий отжиг этих образцов в атмосфере воздуха ведет к увеличению количества ионов Cr{5+}. Отжиг образцов в атмосфере водорода приводит к появлению синглетного сигнала ЭПР с g-фактором 2. 0033+/-0. 0005, связанного с электропроводящими областями, которые формируются на поверхности наночастиц диоксида циркония при их отжиге в атмосфере водорода. Доп.точки доступа: Быков, И. П.; Брик, А. Б.; Глинчук, М. Д.; Бевз, В. В.; Калиниченко, Е. А.; Константинова, Т. Е.; Даниленко, И. А. |
Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd]. Доп.точки доступа: Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В. |
Модификация структуры и механических свойств биоцемента-гидроксилапатита ионизирующим излучением [Текст] / В. Н. Кузнецов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 4. - С. 5-8 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): гидроксилапатит -- электронное облучение -- рентгеновское облучение -- субструктура -- механические свойства -- модуль упругости -- прочность -- пластичность -- ионизирующее излучение -- быстрые электроны -- рентгеновские лучи -- мозаичные блоки -- микродеформация кристаллической решетки Аннотация: Изучено влияние ионизирующего излучения (быстрые электроны, рентгеновские лучи) на параметры тонкой структуры (размер мозаичных блоков, микродеформация кристаллической решетки) и механические свойства (модуль упругости, прочность, пластичность) гидроксилапатита. Обнаружена корреляция между дозовыми зависимостями структурных параметров и механических свойств материала. Доп.точки доступа: Кузнецов, В. Н.; Коршунов, А. Б.; Путляев, В. И.; Голубцов, И. В.; Агахи, К. А.; Ковальков, В. К.; Фомин, Л. В. |
541.6 Ф 815 Фотопревращения катион-радикалов метилзамещенных оксиранов во фреоновых матрицах при 77 К [Текст] / И. Д. Сорокин [и др.] // Вестник Московского университета. Сер. 2. Химия. - 2012. - Т. 53, № 2. - С. 92-107 : таблицы, рис. - Библиогр.: c. 106-107 (28 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): катион-радикалы -- метилоксираны -- парамагнитные частицы -- рентгеновское облучение -- термические превращения -- тетраметилоксираны -- триметилоксираны -- фотохимические реакции -- фреоны Аннотация: Показано, что при рентгеновском облучении различных метилоксиранов во фреоновых матрицах при 77 К могут стабилизироваться катион-радикалы как в открытой, так и в циклической форме с удлиненной С-С-связью. Установлено, что наблюдаемые обратимые фотоиндуцированные превращения катион-радикалов 2, 3-диметилоксирана и метилоксирана связаны с переходом между открытой и циклической формами катион-радикалов с высокими квантовыми выходами (0, 02-0, 39 в зависимости от оксирана и матрицы). Для катион-радикалов триметилоксирана действие света на транс-изомер открытой формы вызывает его фотоиндуцированное превращение в С-центрированный радикал с низкой квантовой эффективностью (-410 ). Катион-радикалы тетраметилоксирана, стабилизирующиеся в открытой форме, устойчивы к действию света. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых эффектов. При рентгеновском облучении 2, 2-диметилоксирана во фреоновых матрицах при 77 К стабилизируется циклическая форма катион-радикалов (возможно, в составе комплекса с молекулами матрицы), которая при действии света превращается в дистонический С-центрированный катион-радикал с квантовым выходом -10. Перейти: http://www.chem.msu.su/rus/vmgu/122/92.pdf Доп.точки доступа: Сорокин, И. Д.; Мельникова, О. Л.; Пергушов, В. И.; Тюрин, Д. А.; Фельдман, В. И.; Мельников, М. Я. |
621.315.592 К 630 Коман, Б. П. Температурная селективность радиационного воздействия на кремниевые МОП-транзисторы / Б. П. Коман // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 677-683 : ил. - Библиогр.: с. 682-683 (32 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационное воздействие -- кремниевые МОП-транзисторы -- МОП-транзисторы -- транзисторы -- рентгеновское облучение -- термостимулируемая деполяризация -- ТСД -- ловушки -- носители заряда -- облучение ионов -- ионное облучение -- ионы -- натрий -- калий -- литий -- водород -- межфазные границы Аннотация: С использованием методики подпороговых токов МОП-транзисторов в интервале температур (290-450) K исследовано влияние температурных режимов рентгеновского облучения на кинетику изменения параметров U[th] и D[it] кремниевых МОП-транзисторов с длиной канала 2-10 мкм. Установлено, что по исследуемым параметрам при температурах облучения выше 360 K (температура низкотемпературного максимума в спектре ТСД транзистора) наблюдается снижение радиационной чувствительности транзисторов, которая достигает своего максимального значения в области 430 K (соответствует высокотемпературному максимуму). Полученные результаты интерпретируются с позиции модели существования двух типов ловушек для носителей заряда и перераспределения под действием облучения электрически активных ионов Na{+}, K{+}, Li{+} и H{+} между ними, а также эффекта частичной нейтрализации зарядов на межфазной границе. Using the technique of subthreshold current curves in the temperature range (290-450K) the effect of temperature modes X-rays on the kinetics of parameters (U[th] and D[it]) MOS silicon transistors with channel length 2-10 Mum is investigated. It is established that the investigated parameters at irradiation temperatures above 360K decrease radiation sensitivity of transistors, reaching its peak at the 430K (corresponding HT-maximum in the TSD-transistor). The results are interpreted from the perspective of the model, that there are two types of traps for carriers and redistribution under irradiation electroactive ions Na{+}, K{+}, Li{+} and H{+} and also the effect of partial neutralization of charges at the interface. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p677-683.pdf Доп.точки доступа: Львовский национальный университет им. Ивана Франко |
539.21:537 В 932 Высокотемпературная термолюминесценция анионодефицитного корунда и возможности его применения в высокодозной дозиметрии / А. И. Сюрдо [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 23. - С. 22-30 : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): высокотемпературная термолюминесценция -- анионодефицитный корунд -- высокодозная дозиметрия -- результаты исследований -- детекторы -- рентгеновское излучение -- электронное излучение -- диапазоны доз -- импульсная мощность -- температурные интервалы -- рентгеновское облучение -- импульсное облучение -- дозовые зависимости -- облучение -- отклики -- светосуммы -- термолюминесценция Аннотация: Приведены результаты исследований термолюминесценции (ТЛ) монокристаллов анионодефицитного корунда (alpha-Al[2]O[3]-delta) и детекторов ТЛД-500 на их основе, облученных импульсными рентгеновскими и электронными излучениями в широком диапазоне доз D, импульсных мощностей доз PP и температур. При D = 0. 05-150 Gy проведено сравнение откликов ТЛ у alpha-Al[2]O[3]-delta для непрерывного и импульсного рентгеновского облучения. В отличие от непрерывного при импульсном облучении с PP меньше или равно 6·10{6} Gy/s зарегистрирован линейный рост откликов ТЛ от D в основном и "хромовом" пиках соответственно при 450 и 580 K с уменьшением наклона дозовой зависимости при D > 2 Gy для пика 450 K. Обнаружено при облучении большими дозами (> 60 Gy) появление нового пика ТЛ при 830 K и преимущественное перераспределение в него запасенных светосумм. Для отклика в пике ТЛ при 830 K изучена дозовая зависимость, которая линейна в диапазоне сверхбольших доз 10{4}-6·10{6} Gy при PP = 2. 6·10{11} Gy/s. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/23/p22-30.pdf Доп.точки доступа: Сюрдо, А. И.; Мильман, И. И.; Абашев, Р. М.; Власов, М. И.; Институт промышленной экологии УрО РАН (Екатеринбург); Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт промышленной экологии УрО РАН (Екатеринбург); Институт промышленной экологии УрО РАН (Екатеринбург)Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург) |