541.64 Р 815 Рощупкин, В. П. Современное состояние исследований трехмерной радикальной сополимеризации [Текст] / В. П. Рощупкин, С. В. Курмаз // Успехи химии. - 2004. - Т. 73, N 3. - Библиогр.: с. 271-274 (178 назв. ) . - ISSN 0042-1308
Рубрики: Химия--Химия полимеров Кл.слова (ненормированные): трехмерная радикальная сополимеризация -- сополимеры -- виниловые соединения -- структурная неоднородность -- кинетическая неоднородность -- релаксационная спектроскопия Аннотация: Проанализировано состояние исследований трехмерной радикальной сополимеризации полифункциональных виниловых соединений с различными мономерами. Обсуждены механизмы взаимосвязи кинетики сополимеризации со структурно-физическими превращениями реакционной среды и строением образующихся сетчатых полимеров. Отмечена ведущая роль методов спектрального мониторинга в исследованиях in situ структурно-кинетических взаимосвязей в процессах трехмерной радикальной сополимеризации. Рассмотрены новые подходы к управлению этими процессами, основанные на использовании реакций катализа передачи цепи и "живой" радикальной полимеризации. Доп.точки доступа: Курмаз, С. В. |
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом LAPLACE-DLTS [Текст] / М. Н. Левин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 21. - С. 61-69 : ил. - Библиогр.: с. 69 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): релаксационная спектроскопия -- полупроводники -- метод LAPLACE-DLTS -- метод DLTS -- локализация заряда -- электрически активные центры -- преобразования Лапласа -- Лапласа преобразования -- обратные преобразования -- параметры центров -- коэффициенты эмиссии Аннотация: Метод DLTS является одним из основных при определении параметров электрически активных центров локализации заряда в полупроводниках. С целью повышения точности и адекватности получаемых результатов в работе предложен метод, основанный на применении обратного преобразования Лапласа. Показано, что использование этого метода позволяет определять параметры центров, имеющих близкие значения коэффициентов эмиссии, что невозможно при использовании традиционного метода DLTS. Доп.точки доступа: Левин, М. Н.; Бормонтов, А. Е.; Ахкубеков, А. Э.; Татохин, Е. А. |
535.33 Я 798 Ярыкин, Н. А. Комментарий к статье Е. А. Татохина, А. В. Каданцева, А. Е. Бормонтова и В. Г. Задорожнего "Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках" [Текст] / Н. А. Ярыкин // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 852-854 : ил. - Библиогр.: с. 853 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): комментарии -- глубокие уровни -- ГУ -- МНК -- метод наименьших квадратов -- статистический метод -- релаксационная спектроскопия -- полупроводники Аннотация: Представлен ответ на комментарий ( Ярыкин Н. А. ) к статье Е. А. Татохина, А. В. Каданцева, А. Е. Бормонтова, В. Г. Задорожнего "Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках". Цель комментария - показать, что в указанной работе не содержится новых подходов, и поэтому заявленные цели не достигнуты. Более того, в статье приведены неверные данные и высказывается несколько ошибочных утверждений, которые могут ввести в заблуждение знакомых с методикой недостаточно близко. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p852-854.pdf Доп.точки доступа: Татохин, Е. А.; Каданцев, А. В.; Бормонтов, А. Е.; Задорожний, В. Г. |