Особенности интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 310-319 : ил. - Библиогр.: с. 318-319 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- интерметаллические полупроводники -- n-ZrNiSn -- кристаллическая структура -- плотность электронных состояний -- энергетические характеристики -- кинетические характеристики -- магнитные характеристики -- легирование -- редкоземельные металлы -- сильно легированные полупроводники -- СЛП -- распределение электронной плотности -- DOS -- твердые растворы -- полупроводники Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводники -- флуктуации Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов (R) в диапазонах температур 1. 5-400 K, концентраций редкоземельного металла 9. 5x10{19}-9. 5x10{21} см{-3}, магнитных полей H=<15 Тл. Определены области существования твердых растворов Zr[1-x]R[x]NiSn, сформулированы критерии растворимости атомов редкоземельных металлов в ZrNiSn и перехода диэлектрик-металл, определена природа "априорного легирования" ZrNiSn донорами как результат перераспределения атомов Zr и Ni в кристаллографических позициях Zr. Установлена корреляция между концентрацией примеси R, амплитудой модуляции зон непрерывных энергий, а также степенью заполнения носителями тока потенциальных ям мелкомасштабных флуктуаций. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Fruchart, D.; Hlil, E. K.; Гладышевский, Р. Е.; Gignoux, D.; Ромака, В. В.; Кужель, Б. С.; Крайовский, Р. В. |
544.1 Н 723 Новаковская, Ю. В. Природа водородной связи и сопряжение в Н-связанных системах [Текст] / Ю. В. Новаковская // Журнал физической химии. - 2012. - Т. 86, № 9. - С. 1493-1508. - Библиогр.: c. 1508 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): водородная связь -- кооперативность -- распределение электронной плотности -- сопряжение в H-связанных системах Аннотация: При анализе распределения электронной плотности в области пространства, относимой к водородной связи, выявлено наличие электронных составляющих такой связи. Показано, что распределение электронной плотности всегда определено наличием связывающих и разрыхляющих орбиталей. |