Муминов, Р. А.
    Разработка Si (Li) детекторов ядерного излучения методом импульсного электрического поля [Текст] / Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, А. К. Саймбетов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 16. - С. 59-63 : ил. - Библиогр.: с. 63 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.3с + 22.381
Рубрики: Физика
   Физические приборы и методы физического эксперимента

   Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики

Кл.слова (ненормированные):
детекторы -- детекторы ядерного излучения -- ядерное излучение -- разработка детекторов -- литий -- ионы лития -- Li -- метод импульсного электрического поля -- импульсные электрические поля -- электрические поля -- метод дрейфа -- режимы параметров -- импульсы -- амплитуды импульса -- длительность импульса -- периоды импульса -- импульсные режимы -- полупроводники
Аннотация: Рассматривается изготовление Si (Li) детектора методом дрейфа ионов лития в режиме импульсного электрического поля. Определены его оптимальные режимы параметров: амплитуды, длительности и периоды импульса. Результаты показали, что проведение процесса дрейфа в импульсном режиме электрического поля позволяет в 2-4 раза сократить время компенсации объема полупроводника и значительно повысить его эффективность.


Доп.точки доступа:
Раджапов, С. А.; Саймбетов, А. К.