Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1135-1139 : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. |
621.375 И 889 Исследование процесса обратного восстановления Si/Si[1-x]Ge[x] гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием [Текст] / И. В. Грехов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 13. - С. 83-89 : ил. - Библиогр.: с. 89 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): гетеродиоды -- обратное восстановление -- процессы восстановления -- исследования -- результаты исследований -- пластины кремния -- прямое сращивание -- германий -- время восстановления -- обратный ток -- носители заряда -- дислокации несоответствия -- восстанавливающиеся диоды -- полупроводниковая техника -- силовая техника -- силовая полупроводниковая техника -- технология прямого сращивания Аннотация: Приведены результаты исследования процесса обратного восстановления Si/Si[1-x]Ge[x] гетеродиодов, сформированных прямым сращиванием пластин кремния n-типа проводимости ориентации (111) с пластинами Si[1-x]Ge[x] p-типа проводимости той же ориентации, с содержанием германия от 4 до 8 at. %. Показано, что с увеличением концентрации германия NGe в p-Si[1-x]Ge[x] слое время обратного восстановления гетеродиодов уменьшается. Наличие участка резкого спада обратного тока на характеристике восстановления может быть объяснено существованием вблизи границы сращивания узкой области с пониженным по отношению к объему временем жизни неосновных носителей заряда вследствие сосредоточения здесь дислокаций несоответствия, генерируемых при сращивании. Полученные результаты демонстрируют принципиальную возможность создания в системе Si-Si[1-x]Ge[x] быстро восстанавливающихся диодов для силовой полупроводниковой техники на основе технологии прямого сращивания. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/13/p83-90.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Белякова, Е. И.; Костина, Л. С.; Рожков, А. В.; Аргунова, Т. С.; Оганесян, Г. А. |