Воротынцев, В. М. Глубокая очистка оксида диазота дистилляционным методом [Текст] / В. М. Воротынцев, И. В. Воротынцев, К. Ю. Смирнов> // Теоретические основы химической технологии. - 2010. - Т. 44, N 3. - С. 265-269. - Библиогр.: с. 268-269 (19 назв. ) . - ISSN 0040-3571
Рубрики: Химическая технология Основные процессы и аппараты химической технологии Кл.слова (ненормированные): дистилляционные методы -- закись азота -- перегонка -- глубокая очистка -- очистка -- азот -- примеси азота -- кислород Аннотация: Предложен способ глубокой очистки оксида диазота (закиси азота) от примесей азота и кислорода дистилляционным методом при повышенном давлении. Доп.точки доступа: Воротынцев, И. В.; Смирнов, К. Ю. |
Влияние отжига на электрические свойства легированных азотом монокристаллов кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки [Текст] / Г. И. Воронкова [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 11. - С. 2128-2134. - Библиогр.: с. 2134 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): отжиг кремния -- легирование азотом -- монокристаллы -- отожженные монокристаллы -- бестигельные зонные плавки -- азотсодержащие центры в кристаллах -- ростовые микродефекты -- примеси азота Аннотация: Излучены электрические свойства отожженных при 680 градусов Цельсия легированных азотом монокристаллов кремния n- и p-типа, полученных методом бестигельной зонной плавки. Показано, что отжиг приводит к появлению в кристаллах азотсодержащих центров, образующих глубокие донорные и акцепторные уровни в запрещенной зоне. Этот процесс сопровождается увеличением удельного сопротивления, особенно существенным в исходно высокоомных монокристаллах. При этом в слаболегированных бором монокристаллах n- и p-типа наблюдается конверсия типа проводимости. В конвертированном материале n-типа подвижность электронов аномально низка, что свидетельствует о его высокой электрической пространственной неоднородности. Определено энергетическое положение вводимого при отжиге глубокого акцепторного уровня вблизи Ec-0. 35 eV. Предложена модель, объясняющая наблюдаемые явления. Доп.точки доступа: Воронкова, Г. И.; Воронков, В. В.; Батунина, А. В.; Головина, В. Н.; Гуляева, А. С.; Тюрина, Н. Б.; Мильвидский, М. Г. |