539.2 К 701 Корхмазян, Н. А. Потенциал плоскостного каналирования в поверхностном слое кристалла LiH [Текст] / Н. А. Корхмазян, Н. Н. Корхмазян, Н. Э. Бабаджанян // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 12. - Библиогр.: c. 100 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гидрид лития -- деканалирование -- плоскостное каналирование -- потенциал каналирования Аннотация: Показано, что потенциал в поверхностном слое кристалла несколько отличается от потенциала в глубине кристалла. Это отличие крайне мало, порядка 3%. Показано также, что толщина слоя, в котором имеет место это изменение, пренебрежимо мала по сравнению с длиной деканалирования. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/12/page-98.html.ru Доп.точки доступа: Корхмазян, Н. Н.; Бабаджанян, Н. Э. |