Корчагина, Т. Т. Формирование и кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiN[x]: H с применением фемтосекундных импульсных отжигов [Текст] / Т. Т. Корчагина, В. А. Володин, B. N. Chichkov // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1660-1665 : ил. - Библиогр.: с. 1665 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): формирование нанокластеров -- нанокластеры -- кристаллизация нанокластеров -- кремний в пленках -- пленки -- фемтосекундные импульсы -- импульсные отжиги -- подложки из стекла -- стекло -- плазмо-химические методы -- лазерные отжиги -- титан-сапфировые лазеры -- структурные изменения -- спектроскопия света -- рассеяние света -- комбинационное рассеяние -- молярные доли -- аморфный кремний -- импульсная кристаллизация -- импульсная обработка Аннотация: Пленки SiN[x]: H разного состава, осажденные на подложки из стекла и кремния с применением плазмо-химического метода при температуре 380{o}C, были подвергнуты импульсным лазерным отжигам. Обработки проводились с применением излучения титан-сапфирового лазера с длиной волны 800 нм и длительностью импульса 30 фс. Структурные изменения в пленках были исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света. В исходных пленках с молярной долей избыточного кремния ~1/5 и выше обнаружены нанокластеры аморфного кремния. Были найдены режимы, необходимые для импульсной кристаллизации нанокластеров. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния, в исходных пленках с небольшим количеством избыточного кремния (x > 1. 25) кластеров кремния обнаружено не было. Импульсные обработки привели к формированию в данных пленках нанокластеров кремния с размерами 1-2 нм. Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Chichkov, B. N. |