Холоднов, В. А. К вопросу о степени блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей в полупроводниках приповерхностным варизонным слоем [Текст] / В. А. Холоднов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 20. - С. 1-9 : ил. - Библиогр.: с. 9 (18 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): математические модели -- фотоносители -- поверхностная рекомбинация -- блокировка поверхностной рекомбинации -- полупроводники -- варизонные слои -- приповерхностные слои -- приповерхностные варизонные слои -- фотовозбуждение носителей -- слабые излучения -- поверхностно-варизонные полупроводники -- варизонные поля -- варизонно-гомогенные границы Аннотация: Математически корректно рассмотрена модель фотовозбуждения носителей слабым излучением в поверхностно-варизонных полупроводниках со ступенчатым профилем варизонного поля на варизонно-гомогенной границе. Выведено явное условие обеспечения блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей. |