535 С 569 Согр, А. А. Оценка разрешения РЭМ изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в режиме теплового воздействия [Текст] / А. А. Согр, А. Г. Масловская // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 114 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): доменные структуры -- пироток -- разрешение изображения -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ изображение -- сегнетоэлектрики Аннотация: Рассматриваются особенности контраста растрового изображения доменной структуры сегнетоэлектрика в режиме пиротока. Приведены расчеты, основанные как на учете скорости нагрева отдельных частей домена, так и на расчете диффузии тепла через границы доменов и кристалла. Диффузия тепла приводит к размытию изображения небольших доменов. Показано, что наряду с диаметром зонда скорость сканирования является существенным фактором, определяющим характер контраста растрового изображения. Уменьшение скорости сканирования может существенно снизить разрешение изображения даже при малом диаметре зонда. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-111.html.ru Доп.точки доступа: Масловская, А. Г. |
539.2 М 209 Малышкина, О. В. Новый метод определения координатных зависимостей пиротока в сегнетоэлектрических материалах [Текст] / О. В. Малышкина, А. А. Мовчикова, G. Suchaneck // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 11. - С. 2045-2048. - Библиогр.: с. 2048 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): пироотклик -- пироток -- поляризация -- пьезокерамика -- сегнетоэлектрические материалы Аннотация: Предлагается упрощенный метод определения профиля эффективного значения пирокоэффициента по глубине образца, исключающий сложный математический анализ, связанный с решением некорректных задач. Данный метод позволяет определять состояние поляризации в объеме массивных сегнетоактивных материалов. Апробация метода приведена на образах коммерческой пьезокерамики PZT. Доп.точки доступа: Мовчикова, А. А.; Suchaneck, G. |
Фотоэлектрический эффект в TlInS[2], активированном примесью La [Текст] / M. -H. Yu. Seyidov [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 250-255. - Библиогр.: с. 255 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрический эффект -- слоистые кристаллы -- диэлектрическая проницаемость -- локальные поляризованные состояния -- пироток -- метод короткозамкнутого образца Аннотация: Впервые получены данные о влиянии света на низкочастотные диэлектрические свойства слоистого кристалла TlInS[2], легированного примесью La. Установлено, что подсветка кристалла в процессе измерений существенно изменяет вид температурной зависимости диэлектрической постоянной (эпсилон) TlInS[2] с примесью La в области существования несоизмеримой фазы. В работе впервые исследованы температурные зависимости диэлектрической постоянной эпсилон TlInS[2] с примесью La при предварительном охлаждении кристалла в присутствии различного по величине напряженности постоянного электрического поля. Сделано заключение о том, что наблюдаемый на опыте фотодиэлектрический эффект обусловлен процессами локализации носителей заряда на дефектных уровнях в запрещенной зоне кристалла с образованием локальных поляризованных состояний. Доп.точки доступа: Seyidov, M. -H. Yu.; Suleymanov, R. A.; Бабаев, С. С.; Мамедов, Т. Г.; Наджафов, А. И.; Шарифов, Г. М. |