Вальдеррама, Д. Анализ процесса распространения света по нерегулярным волноведущим структурам в виде цепочек связанных оптических микорезонаторов [Текст] / Д. Вальдеррама, А. Т. Реутов // Радиотехника и электроника. - 2010. - Т. 55, N 3. - С. 340-349. - Библиогр.: с. 349 (20 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): оптические резонаторы -- волноведущие структуры -- микрорезонаторы -- оптоэлектронные устройства Аннотация: Рассмотрено влияние локальных и нелокальных нерегулярностей на процессе распространения света по волноведущим структурам, состоящим из связанных оптических микрорезонаторов. Анализируется зависимость от частоты коэффициентов отражения и пропускания для нескольких типов нерегулярностей и влияние этих коэффициентов на коэффициент передачи ограниченной по длине волноведущей структуры. Доп.точки доступа: Реутов, А. Т. |
Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике [Текст] / О. П. Пчеляков [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 59-64. - Библиогр.: c. 63-64 (27 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Теоретические основы электротехники Физическая оптика Физика Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- оптоэлектронные устройства Аннотация: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены экспериментальные исследования атомных и молекулярных процессов формирования массивов квантовых точек при молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено влияние суперструктуры и морфологии поверхности на упорядочение нанокластеров в латеральном направлении. Обсуждается возможность разработки воспроизводимой технологии создания приборных устройств на основе эпитаксиальных Ge/Si-наногетероструктур. Доп.точки доступа: Пчеляков, О. П.; Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Коханенко, А. П. |
539.21:537 М 126 Магнитопропускание в ИК-диапазоне и магнитосопротивление пленок манганита Nd[0.52]Sr[0.48]MnO[3-delta]/LaAlO[3] [Текст] / Е. В. Мостовщикова [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 18. - С. 23-30 : ил. - Библиогр.: с. 30 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Магнетизм Кл.слова (ненормированные): манганиты -- пленки манганита -- магнитосопротивление пленок -- ИК-диапазоны -- инфракрасное излучение -- магнитные поля -- магнитопропускание -- отрицательное магнитопропускание -- длины волн -- кислород -- эффекты магнитопропускания -- спинтроника -- магнитоуправляемые устройства -- оптоэлектронные устройства Аннотация: В пленке манганита Nd[0. 52]Sr[0. 48]MnO[3]/LaAlO[3] при температуре T=225 K обнаружено большое отрицательное магнитопропускание (t[H] - t[H=0]) /t[H=0]~-14% в магнитном поле H=8 kOe на длине волны 8. 8 mum и отрицательное магнитосопротивление (rho[H] - rho[H=0]) /rho[H=0]~ -50% в поле H=10 kOe. Обсуждается влияние вакансий по кислороду на величину эффектов. Высокая величина эффектов позволяет рекомендовать пленки Nd[0. 52]Sr[0. 48]MnO[3] для использования в оптоэлектронных магнитоуправляемых устройствах и в спинтронике. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/18/p23-30.pdf Доп.точки доступа: Мостовщикова, Е. В.; Лошкарева, Н. Н.; Солин, Н. И.; Николаенко, Ю. М.; Хохлов, В. А.; Прохоров, А. Ю. |
535.37 В 544 Витухновский, А. Г. Прогресс в области источников света и дисплеев [Текст] / А. Г. Витухновский // Успехи физических наук. - 2011. - Т. 181, № 12. - С. 1341-1344 : 8 рис. - Библиогр.: с. 1344 (11 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): источники света -- дисплеи -- люминесценция -- люминесцентные лампы -- люминофоры -- оптоэлектронные устройства -- наноматериалы -- светодиоды -- сессии Аннотация: С. И. Вавилов заложил отечественную школу науки о люминесценции. Помимо существенного вклада в развитие фундаментальных представлений о природе люминесценции, именно благодаря организационному таланту Сергея Ивановича наша страна получила новые источники света - люминесцентные лампы. Доп.точки доступа: Вавилов, Сергей Иванович; К 120-летию со дня рождения Сергея Ивановича Вавилова, научная сессия (2011, март) |
539.2 С 750 Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si (001) -гетероструктур с самоформирующимися наноостровками [Текст] / З. Ф. Красильник [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 230-234 : ил. - Библиогр.: с. 234 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): радиационное воздействие -- нейтроны -- электролюминесценция кремния -- ЭЛ -- кремний -- гетероструктуры -- Ge/Si -- подложки -- Si (001) -- самоформирующиеся наноостровки -- наноостровки -- диоды -- кремниевые диоды -- носители заряда -- пространственная локализация -- наноструктуры -- диффузия -- радиационные дефекты -- безызлучательная рекомбинация -- рекомбинация -- оптоэлектронные устройства -- сравнительный анализ Аннотация: Выполнены исследования влияния радиационного воздействия нейтронами на электролюминесценцию кремниевого p-i-n-диода, содержащего многослойную гетероструктуру Ge/Si с самоформирующимися наноостровками. Диоды с наноостровками Ge (Si) продемонстрировали более высокую радиационную стойкость сигнала электролюминесценции от них по сравнению с объемным кремнием, что связывается с пространственной локализацией носителей заряда в наноструктурах Ge/Si. Пространственная локализация носителей заряда препятствует их диффузии к радиационным дефектам и последующей безызлучательной рекомбинации на них. Полученные результаты указывают на возможность использования гетероструктур Ge/Si с самоформирующимися наноостровками для разработки радиационно стойких оптоэлектронных устройств. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p230-234.pdf Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Кудрявцев, К. Е.; Качемцев, А. Н.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Оболенский, С. В.; Шенгуров, Д. В. |