Лебедев, И. В. Низкочастотные шумовые и импедансные спектральные характеристики твердотельных структур [Текст] / И. В. Лебедев, И. Н. Мирошникова, Д. В. Чупров> // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 399, N 2. - С. 180-184 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): твердотельные структуры -- физика -- радиоэлектронные устройства -- низкочастотные шумы -- шумовая спектроскопия Аннотация: Рассматриваются низкочастотные шумы, которые являются важным параметром, позволяющим выявлять и прогнозировать качество и надежность приборов полупроводниковой электроники. Доп.точки доступа: Мирошникова, И. Н.; Чупров, Д. В. |
Особенности рекомбинационных процессов в светодиодах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционного тока [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ]> // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 19. - С. 97-102 : ил. - Библиогр.: с. 102 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- светодиоды -- рекомбинационные процессы -- InGaN/GaN -- инжекционный ток -- плотности тока -- низкочастотные шумы -- безызлучательная рекомбинация -- внешняя квантовая эффективность -- причины падения квантовой эффективности -- квантовая эффективность Аннотация: Показано, что плотность низкочастотного шума светодиодов на основе InGaN/GaN зависит от плотности тока как j{3} при плотностях тока больше 20 A/cm{2}. Такой вид зависимости свидетельствует об образовании новых центров безызлучательной рекомбинации, и этот процесс может быть причиной падения внешней квантовой эффективности при больших плотностях тока. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Левинштейн, М. Е.; Петров, П. В.; Черняков, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М. |
539.21:537 А 465 Александров, С. Е. Влияние низкочастотных шумов на пороговую чувствительность фотодиодных фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона в широкой полосе частот / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов, Г. Ю. Сотникова> // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 16. - С. 58-64 : ил. - Библиогр.: с. 64 (4 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): низкочастотные шумы -- фотоприемные устройства -- пороговая чувствительность -- фотодиоды -- трансимпедансные усилители -- шумовые характеристики -- операционные усилители Аннотация: Представлен анализ низкочастотной составляющей шумов фотодиодного фотоприемного устройства, выполненного по схеме трансимпедансного усилителя. Показано, что низкочастотная (дрейфовая) составляющая шумов во входных цепях современных операционных усилителей вносит определяющий вклад в результирующие шумы фотоприемных устройств на основе фотодиодов A{3}B{5} вплоть до частот порядка сотен kHz. Предложен наглядный "векторный" метод описания шумовых характеристик элементов фотоприемного устройства с целью выбора оптимального типа операционного усилителя для достижения предельных характеристик чувствительности и точности при требуемом быстродействии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/16/p58-64.pdf Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Сотникова, Г. Ю. |