537.311.33 П 432 Поглощение и фотоионизация донорного уровня в полупроводниковых кристаллах CdF[2] / С. А. Казанский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 902-906 : ил. - Библиогр.: с. 906 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые кристаллы -- фотоионизация -- инфракрасное поглощение -- вибронные взаимодействия -- кристаллы -- поляроны -- низкотемпературная фотопроводимость -- барьеры -- равновесие -- полярные полупроводники -- фотовозбуждение Аннотация: Для объяснения особенностей инфракрасного поглощения и фотоионизации в полупроводниковых кристаллах CdF[2] предложена модель сильного вибронного взаимодействия, учитывающая поляронный характер проводимости в этих кристаллах и сильный конфигурационный сдвиг свободного и связанного состояний полярона. Показано, что интенсивная инфракрасная полоса поглощения в этих кристаллах не связана с переходом носителя с водородоподобного донорного уровня в зону проводимости, а обусловлена фононными репликами внутрицентровых переходов. Низкотемпературная, в диапазоне 0-70 K, фотопроводимость обусловлена туннельными переходами между фононными состояниями связанного и свободного поляронов, поскольку эти состояния разделены достаточно большим потенциальным барьером. Преодоление барьера в двух направлениях ответственно за установление равновесия в поляронной подсистеме при фотовозбуждении носителей; туннельный характер этого процесса объясняет слабое изменение времени его установления в указанном интервале температур. Features of the infrared absorption and photo ionization of CdF[2] semiconductor crystals are explained in framework of the strong-vibronic-interaction model. The model takes into account a polaron nature of the crystal conductivity and large configuration displacement of free and bound polaron states. It is shown that the intensive infrared absorption band in the spectra of these crystals does not arise due to a carrier transition from the hydrogenic donor level into the conduction band. It is formed by phonon replicas of intra-center transitions. The photoconductivity in the temperature range of 0-70 K is caused by tunnel transitions between phonon states of the free and bound polarons separated by a sufficiently high potential barrier. The establishing equilibrium in a polaron sub-system under the photo-excitation takes place at overcoming the barrier in both directions. The tunnel nature of this process explains the weak dependence of establishing-equilibrium time in the above-mentioned temperature range. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p902-906.pdf Доп.точки доступа: Казанский, С. А.; Щеулин, А. С.; Ангервакс, А. Е.; Рыскин, А. И. |
539.2 О-754 Особенности низкотемпературной электро- и фотопроводимости твердых растворов CuInSe[2]-ZnIn[2]Se[4] / В. В. Божко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 747-752 : ил. - Библиогр.: с. 751-752 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): низкотемпературная электропроводимость -- низкотемпературная фотопроводимость -- твердые растворы -- монокристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- температурные закономерности -- электроны -- прыжковый механизм -- прыжковая проводимость Аннотация: Для выращивания монокристаллов твердых растворов CuInSe[2]-ZnIn[2]Se[4] n-типа проводимости использовался горизонтальный вариант метода Бриджмена. Слабая температурная зависимость электропроводимости, большая концентрация электронов и низкая фотопроводимость монокристаллов с небольшим содержанием (5-10 мол%) ZnIn[2]Se[4] свидетельствуют об их состоянии, близком к вырожденному. Установлено, что в монокристаллах CuInSe[2]-ZnIn[2]Se[4] с содержанием 15 и 20 мол% ZnIn[2]Se[4] при температурах приблизительно 27-110 K доминирует прыжковый механизм проводимости. При T больше или равно q 110 K прыжковая проводимость переходит в активационную. Особенностью спектрального распределения низкотемпературной (27-77 K) фотопроводимости монокристаллов c приблизительно 15 и приблизительно 20 мол% ZnIn[2]Se[4] оказалось наличие одного узкого максимума c lambda[max]=1190-1160 нм. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p747-752.pdf Доп.точки доступа: Божко, В. В.; Новосад, А. В.; Парасюк, О. В.; Вайнорюс, Н.; Сакавичус, А.; Янонис, В.; Кажукаускас, В.; Чичурин, А. В.; Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Луцк (Украина); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Луцк (Украина); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Луцк (Украина); Вильнюсский университет (Литва); Вильнюсский университет (Литва); Вильнюсский университет (Литва); Вильнюсский университет (Литва); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Луцк (Украина) |