Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения [Текст] / В. В. Белых [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 11. - С. 681-684
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): квантовые микрорезонаторы -- встроенные квантовые ямы -- нерезонансное возбуждение лазерными импульсами -- стимулированное излучение -- экситон-фотонная связь Аннотация: В микрорезонаторе на основе GaAs с встроенными квантовыми ямами изучена временная динамика процесса излучения при высоких уровнях нерезонансного возбуждения пикосекундными лазерными импульсами. При уровнях накачки, превышающих порог лазерной генерации, измерены кинетические зависимости интенсивности, спектрального положения и ширины линии излучения. Установлено, что после импульса возбуждения линия излучения сдвигается в сторону больших энергий в течение некоторого времени, сравнимого с временем достижения максимума интенсивности излучения, а затем движется в обратную сторону к ее положению при низкой поляритонной плотности. Ширина линии излучения максимальна непосредственно после импульса возбуждения и достигает минимума, когда интенсивность стимулированного излучения достигает максимальной величины. Показано, что в начальные моменты времени после импульса возбуждения система находится в режиме слабой экситон-фотонной связи и переходит с течением времени в режим сильной связи. Доп.точки доступа: Белых, В. В.; Нгуен, М. Х.; Сибельдин, Н. Н.; Скориков, М. Л.; Цветков, В. А.; Шарков, А. В. |