Бойков, Ю. А. Магнитотранспортные параметры двухосно механически напряженных пленок (25 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 1. - С. 88-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): напряженные пленки -- магнитотранспортные параметры -- магнитокристаллическая анизотропия Аннотация: Исследованы структура, электро- и магнитотранспортные свойства пленок (25 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], механически упругонапряженных подложкой (001) LaAlO3 в процессе их зародышеобразования и роста. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
539.2 Н 277 Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs [Текст] / Ю. Б. Болховитянов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 10. - С. 1903-1909. - Библиогр.: с. 1908-1909 (34 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- напряженные пленки -- гетероструктуры -- краевые дислокации несоответствия Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероструктуры типа напряженная пленка Ge на искуственной подложке InGaAs/GaAs. Особенность таких гетероструктур связана с тем, что пластически релаксированный (буферный) слой InGaAs имеет плотность пронизывающих дислокаций в районе 10{5}-10{6}cm{-2}. Эти дислокации, проникая в напряженный слой Ge, становятся источниками как 60{o}, так и 90{o} (краевых) дислокаций несоответствия (ДН). С помощью просвечивающей электронной микроскопии в границе раздела Ge/InGaAs обнаружены оба типа ДН. Показано, что наличие в растянутой пленке Ge пронизывающих дислокаций, наследуемых из буферного слоя, способствует образованию краевых дислокаций в границе раздела Ge/InGaAs даже в случае малой величины упругих деформаций в напряженной пленке. Рассмотрены механизмы образования краевых ДН, включающие случайную встречу комплементарных 60{o} ДН, распространяющихся параллельно в зеркально отклоненных плоскостях {111}; наведенное зарождение второй 60{o} ДН и ее взаимодействие с первичной 60{o} ДН; взаимодействие двух комплементарных ДН после поперечного скольжения одной из них. С помощью расчета показано, что критическая толщина h[c] для появления краевых ДН существенно меньше, чем h[c] для 60{o} ДН. Доп.точки доступа: Болховитянов, Ю. Б.; Василенко, А. П.; Гутаковский, А. К.; Дерябин, А. С.; Путято, М. А.; Соколов, Л. В. |