Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции [Текст] / В. Г. Талалаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1084-1092 : ил. - Библиогр.: с. 1091 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельно-инжекционные наноструктуры -- ТИНС -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- эмиттеры -- модель Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна -- Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна модель -- наномостики -- люминесценция -- кинетика люминесценции -- фотолюминесценция -- ФЛ -- туннелирование электрического тока -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии Аннотация: Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-инжекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In[0. 15]Ga[0. 85]As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In[0. 6]Ga[0. 4]As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре. Доп.точки доступа: Талалаев, В. Г.; Сеничев, А. В.; Новиков, Б. В.; Tomm, J. W.; Elsaesser, T.; Захаров, Н. Д.; Werner, P.; Gosele, U.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э. |