Инфракрасные спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями InAs и GaAs [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1072-1078 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инфракрасные спектры отражения -- многослойные эпитаксиальные гетероструктуры -- погруженные слои -- дисперсионный анализ Аннотация: Исследовано влияние толщины погруженных InAs- и GaAs-слоев на инфракрасные спектры отражения колебаний решетки в многослойных эпитаксиальных гетероструктурах AlInAs/InAs/AlInAs, InGaAs/GaAs/InGaAs, AlInAs/InGaAs/GaAs/InGaAs/AlInAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках InP (100). Оценены относительные напряжения, возникающие в слоях, окружающах погруженные, при изменении числа монослоев, из которых формируются квантовые точки, а также при изменении толщины самих слоев, окружающих погруженные. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Домашевская, Э. П.; Лукин, А. Н.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С. |