621.3 У 932 Ушаков, В. В. Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов [Текст] / В. В. Ушаков, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 140-143 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кристаллы CdTe -- CdTe -- теллурид кадмия -- фотолюминесценция Аннотация: Методом микрофотолюминесцентного спектрального анализа и имиджинга исследованы свойства нелегированного CdTe, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов. Несмотря на весьма значительное увеличение скорости кристаллизации, большая интенсивность краевой полосы с разрешением спектроскопических деталей внутри ее контура при температурах ~100 K свидетельствовала о высоком качестве кристаллического материала с размером монокристаллических зерен до 0. 5 мм. Люминесцентные топограммы исследованных образцов напоминали по форме топограммы кристаллов, выращенных квазиравновесными методами, однако механизм сегрегации примесей на межзеренных границах в исследованных кристаллических структурах не был связан с диффузионными процессами, а имел иную природу. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
Влияние уровня возбуждения на оптические свойства микродиска GaAs-AlGaO с активной областью на основе квантовых точек InAs [Текст] / А. М. Надточий [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1247-1252
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): микродиски -- микрофотолюминесценция -- уровень оптического возбуждения -- моды шепчущей галереи -- волноводы -- квантовые точки Аннотация: Методом спектроскопии микрофотолюминесценции исследовано влияние уровня оптического возбуждения на интенсивность и ширину линий мод шепчущей галереи в микродисках с асимметричным волноводом воздух/GaAs/AlGaO и активной областью на основе квантовых точек InAs. При высоких уровнях накачки обнаружены перегрев активной области, приводящий к длинноволновому сдвигу спектра усиления, а также изменение формы спектра за счет насыщения основного и возбужденных состояний и влияния многочастичного взаимодействия. Вследствие данных эффектов спектральное положение мод шепчущей галереи относительно максимумов спектра усиления определяет характер зависимости их интенсивности и ширины линии от плотности мощности оптической накачки, который может сильно различаться для разных мод. Длинноволновый сдвиг линий мод шепчущей галереи, вызванный перегревом активной области, частично компенсируется коротковолновым сдвигом, обусловленным влиянием концентрации свободных носителей на эффективный коэффициент преломления волновода. Доп.точки доступа: Надточий, А. М.; Блохин, С. А.; Сахаров, А. В.; Кулагина, М. М.; Задиранов, Ю. М.; Гордеев, Н. Ю.; Максимов, М. В.; Устинов, В. М.; Леденцов, Н. Н.; Шток, Е.; Варминг, Т.; Бимберг, Д. |
Александров, И. А. Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек [Текст] / И. А. Александров, В. Г. Мансуров, П. Хольтц // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 9. - С. 498-500
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): микрофотолюминесценция -- фотолюминесценция -- вюрцитные квантовые точки -- квантовые точки -- фотолюминесценция квантовых точек -- лазерное возбуждение -- поляризация излучения -- безызлучательная рекомбинация -- центры безызлучательной рекомбинации Аннотация: Исследована микрофотолюминесценция GaN/AlN квантовых точек, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках вдоль оси (0001). Номинальное количество осажденного GaN варьировалось от 1 до 4 монослоев для получения квантовых точек с различным средним размером и плотностью. Плотность квантовых точек составляла около 10\{11\} см\{-2\}, таким образом, около 10\{3\} квантовых точек возбуждалось в экспериментах. Фотолюминесценция квантовых точек линейно поляризована, наибольшая степень поляризации (15 для образца с наименьшим количеством осажденного GaN). Доп.точки доступа: Мансуров, В. Г.; Хольтц, П. |
538.9 Т 572 Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек / А. В. Гайслер [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 5. - С. 313-318
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- InAs -- экситонные состояния -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм -- криогенная микрофотолюминесценция -- излучатели пар запутанных фотонов Аннотация: Методом криогенной микрофотолюминесценции исследована тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек, выращенных по механизму Странского-Крастанова с малым временем прерывания роста. Продемонстрировано монотонное увеличение расщепления экситонных состояний с увеличением размера квантовых точек до значений ~10\{2\} мкэВ. Показано, что в интервале энергий экситонов 1. 3-1. 4 эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий. Это представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе InAs квантовых точек. Доп.точки доступа: Гайслер, А. В.; Ярошевич, А. С.; Деребезов, И. А.; Калагин, А. К.; Бакаров, А. К.; Торопов, А. И.; Щеглов, Д. В.; Гайслер, В. А.; Латышев, А. В.; Асеев, А. Л.; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный технический университетИнститут физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН |
535.37 М 440 Мездрогина, М. М. Метастабильные состояния в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu, Eu + Sm / М. М. Мездрогина, авт. Ю. В. Кожанова // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 480-489 : ил. - Библиогр.: с. 489 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- InGaN/GaN -- микрофотолюминесценция -- микроФЛ -- магнитные поля -- ванфлековский парамагнетизм -- спектры микрофотолюминесценции -- фотоиндуцированные дефекты -- макрофотолюминесценция -- спектры макрофотолюминесценции -- отжиг структур -- нитридгаллиевые структуры Аннотация: На основании измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN (Sm), InGaN/GaN (Eu) показано, что воздействие магнитного поля приводит к реализации ванфлековского парамагнетизма для Eu{3+} и Sm{3+}. После измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu + Sm, при высоком уровне возбуждения (более 10{23} фотон/ (см{2} x с), в магнитных полях, во вновь измеренных спектрах макрофотолюминесценции отсутствовали линии излучения из квантовых ям, имеющиеся в ранее измеренных спектрах макрофотолюминесценции. Это свидетельствует о наличии фотоиндуцированных дефектов. Отжиг исследованных структур InGaN/GaN (Sm), InGaN (Eu + Sm) приводит к уменьшению концентрации фотоиндуцированных дефектов. On the base of the measurements of microphotoluminescence spectra structures with quantum wells on the base InGaN/GaN, doped by Eu, Sm, Eu+Sm, it was found the realization Van-Vleck paramagnetism for Eu, Sm as result the action of magnetic field. There were the absences the luminescence lines from quantum well after measurements microphotoluminescence spectra under high level excitation (10{23} photon/cm{2}·s) in magnetic fields in structures with quantum wells InGaN/GaN, doped bySm, Eu+Sm, which where in investigated structures before these measurements. It was proposed the existence of photoinduced defects. The decrease this effect was observed after annealing inargon under T=1020 °С, time of annealing was equal to 1 h. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p480-489.pdf Доп.точки доступа: Кожанова, Ю. В. |
535.2/.3 Л 175 Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек / Н. В. Крыжановская [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1396-1399 : ил. - Библиогр.: с. 1399 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерная генерация -- микрокольцевые резонаторы -- активная область -- квантовые точки -- InAs/InGaAs -- микрофотолюминесценция -- оптическая микроскопия -- комнатная температура -- микролазеры -- оптическая накачка Аннотация: Созданы микрокольцевые резонаторы (диаметром D=2. 7-7 мкм) с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, и исследованы их характеристики с помощью микрофотолюминесценции и ближнепольной оптической микроскопии. Получено значение добротности 22 000 для микрокольцевого резонатора диаметром D=6 мкм. В кольцевом микролазере диаметром D=2. 7 мкм при оптической накачке достигнута лазерная генерация вплоть до комнатной температуры. Microring resonators with 2. 7-7 mum diameter and with active region based on InAs/InGaAs quantum dots are fabricated and studied by microphotoluminescence spectroscopy and near-field photoluminescence spectroscopy. Quality factor 22 000 is obtained for microring laser with 6 mum diameter. Lasing in microring laser with diameter 2. 7 mum under optical excitation at room temperatures is achieved. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1396-1399.pdf Доп.точки доступа: Крыжановская, Н. В.; Жуков, А. Е.; Надточий, А. М.; Максимов, М. В.; Моисеев, Э. И.; Кулагина, М. М.; Савельев, А. В.; Аракчеева, Е. М.; Липовский, А. А.; Зубов, Ф. И.; Kapsalis, A.; Mesaritakis, C.; Syvridis, D.; Mintairov, A.; Livshits, D.; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наукСанкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; University of Athens (Greece); University of Athens (Greece); University of Athens (Greece); University of Notre Dame (USA); Innolume GmbH (Deutschland) |