539.2 П 487 Покровский, Я. Е. Прыжковая фотопроводимость легированного кремния в микроволновом электрическом поле [Текст] / Я. Е. Покровский, Н. А. Хвальковский // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.48,N9. - Библиогр.:с.1128 (18 назв.) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): микроволновое электрическое поле -- прыжковая фотопроводимость -- фотопроводимость -- фотопроводимость легированного кремния Аннотация: В кремнии легированном примесями B, Al,Ga,In, P,As, Sb в концентрациях 10{16}...10{18} см{-3} при низких (4.2 и 11 К) температурах исследована кинетика фотопроводимости (ФП) в 8- миллиметровом микроволновом электрическом поле при примесном импульсном фотовозбуждении. Установлено, что инфракрасное поглощение парами примесей и медленная компонента релаксации ФП возникают при близких концентрациях примесей. Показано, что эта компонента связана с поляризационной прыжковой фотопроводимостью, возникающей в результате оптической перезарядки примесных состояний при ионизации изолированных примесей, примесей в парах и диполей (пар ионов основной и компенсирующей примесей). Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Хвальковский, Н.А. |