О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 71-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- объемные кристаллы -- получение объемных кристаллов -- сублимационная эпитаксия -- 3C-SiC -- структурное совершенство -- эпитаксиальные слои -- политипно-однородные толстые эпитаксиальные слои -- подложки (физика) -- метод Лэли -- Лэли метод Аннотация: Показана возможность получения политипно-однородных толстых (>100 mum), хорошего структурного совершенства, с диаметром не менее 25 mm эпитаксиальных слоев 3C-SiC на основе подложек 6H-SiC. Подобные слои могут быть использованы в качестве затравок для получения объемных кристаллов 3C-SiC модифицированным методом Лэли. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Зубрилов, А. С.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Середова, Н. В.; Трегубова, А. С. |
539.2 П 535 Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния [Текст] / М. Г. Мынбаева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 847-851 : ил. - Библиогр.: с. 850 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): затравочные кристаллы -- карбид кремния -- SiC -- метод сублимационной эпитаксии -- сублимационная эпитаксия -- низкодефектные слои -- подложки пластин -- монокристаллические слитки -- метод Лэли -- Лэли метод -- эпитаксиальные слои -- дефекты -- сравнительные исследования -- структурные дефекты Аннотация: Методом сублимационной эпитаксии в вакууме выращены низкодефектные слои карбида кремния при использовании в качестве подложек пластин SiC, вырезанных из монокристаллических слитков, полученных модифицированным методом Лэли. На основании проведенных сравнительных исследований распределения структурных дефектов в подложках и эпитаксиальных слоях сделан вывод о том, что изоморфная пара эпитаксиальный слой/монокристаллическая подложка SiC, представляющая собой композицию материалов, полученных в рамках одного и того же метода - сублимационного синтеза - но в различающихся технологических условиях, является перспективной для получения затравочных кристаллов карбида кремния улучшенного качества. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p847-851.pdf Доп.точки доступа: Мынбаева, М. Г.; Абрамов, П. Л.; Лебедев, А. А.; Трегубова, А. С.; Литвин, Д. П.; Васильев, А. Б.; Чемекова, Т. Ю.; Макаров, Ю. Н. |