Исследование в режиме наведенного тока пленок GaN, полученных методом латерального заращивания [Текст] / П. С. Вергелес [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 14-17
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- латеральное заращивание -- режим наведенного тока -- энергия пучка -- доноры -- пленки (физика) -- GaN Аннотация: Методом растровой электронной микроскопии в режиме наведенного тока исследованы пленки GaN, полученные латеральным заращиванием. Сравнение экспериментальной и рассчитанной зависимостей наведенного тока от энергии пучка позволило определить не только диффузионную длину, но и концентрацию доноров в разных областях пленки. Обнаружено, что распределение доноров неоднородно, и эта неоднородность увеличивается при облучении быстрыми нейтронами. Это свидетельствует о существенном влиянии структурных дефектов на скорость накопления радиационных дефектов. Обнаружен аномально медленный спад сигнала вне барьера Шоттки, который может определяться заряженными дефектами, формирующимися на границе сращивания. Доп.точки доступа: Вергелес, П. С.; Говорков, А. В.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; Якимов, Е. Б. |