Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом LAPLACE-DLTS [Текст] / М. Н. Левин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 21. - С. 61-69 : ил. - Библиогр.: с. 69 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): релаксационная спектроскопия -- полупроводники -- метод LAPLACE-DLTS -- метод DLTS -- локализация заряда -- электрически активные центры -- преобразования Лапласа -- Лапласа преобразования -- обратные преобразования -- параметры центров -- коэффициенты эмиссии Аннотация: Метод DLTS является одним из основных при определении параметров электрически активных центров локализации заряда в полупроводниках. С целью повышения точности и адекватности получаемых результатов в работе предложен метод, основанный на применении обратного преобразования Лапласа. Показано, что использование этого метода позволяет определять параметры центров, имеющих близкие значения коэффициентов эмиссии, что невозможно при использовании традиционного метода DLTS. Доп.точки доступа: Левин, М. Н.; Бормонтов, А. Е.; Ахкубеков, А. Э.; Татохин, Е. А. |