Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации основных носителей заряда [Текст] / В. Н. Бессолов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1345-1347
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- сплавные омические контакты -- In-n-GaN -- механизм протекания тока -- концентрация носителей заряда Аннотация: На основании исследования температурной зависимости сопротивления сплавных омических контактов In-n-GaN обнаружено, что механизм протекания тока в них существенно зависит от концентрации N нескомпенсированных доноров в GaN: при N = 5 х 10\{16\} - 1 х 10\{18\} см\{-3\} основным является протекание тока по металлическим шунтам, а при N больше равно 8 х 10\{18\} см\{-3\} - туннелирование. Доп.точки доступа: Бессолов, В. Н.; Бланк, Т. В.; Гольдберг, Ю. А.; Константинов, О. В.; Поссе, Е. А. |