Рентгенотопографическая характеризация структурного отклика кристаллов Ge (Ga) на изменение ориентации вектора силы тяжести в процессе кристаллизации [Текст] / И. А. Прохоров [и др. ]> // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 11-16
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рост кристаллов -- микрогравитация -- космические аппараты -- конвективные течения в расплаве -- процесс кристаллизации -- легирующие примеси Аннотация: Методом плосковолновой рентгеновской топографии исследовано влияние возмущений процесса кристаллизации, связанных с изменением ориентации фронта кристаллизации относительно вектора силы тяжести (характерных для роста кристаллов в условиях микрогравитации на борту космических аппаратов), на реальную структуру кристаллов. Установлено, что такие возмущения могут приводить к локальным нарушениям в распределении примеси в виде микросегрегационных полос роста. Проведены количественные оценки амплитуды вариации состава, основанные на анализе контраста изображений полос роста, полученных методом плосковолновой рентгеновской топографии. Доп.точки доступа: Прохоров, И. А.; Захаров, Б. Г.; Сидоров, В. С.; Стрелов, В. И. |