Особенности рекомбинационных процессов в светодиодах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционного тока [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 19. - С. 97-102 : ил. - Библиогр.: с. 102 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- светодиоды -- рекомбинационные процессы -- InGaN/GaN -- инжекционный ток -- плотности тока -- низкочастотные шумы -- безызлучательная рекомбинация -- внешняя квантовая эффективность -- причины падения квантовой эффективности -- квантовая эффективность Аннотация: Показано, что плотность низкочастотного шума светодиодов на основе InGaN/GaN зависит от плотности тока как j{3} при плотностях тока больше 20 A/cm{2}. Такой вид зависимости свидетельствует об образовании новых центров безызлучательной рекомбинации, и этот процесс может быть причиной падения внешней квантовой эффективности при больших плотностях тока. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Левинштейн, М. Е.; Петров, П. В.; Черняков, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М. |
537.311.33 Р 243 Распределение потенциала в охранных структурах с плавающими кольцевыми p-n-переходами кремниевых детекторов излучений [Текст] / Е. М. Вербицкая [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 547-553 : ил. - Библиогр.: с. 553 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): p-n переходы -- распределение потенциала -- охранные структуры -- VTS -- детекторы излучений -- ядерные излучения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- удельное сопротивление -- электрическое поле -- кремниевые детекторы -- пространственные заряды -- чувствительные контакты -- кольца (физика) -- плавающие кольца -- инжекционный ток Аннотация: Предложена модель распределения потенциала в охранных структурах (VTS - voltage terminating structure) кремниевых детекторов ядерных излучений, в которых VTS представляет собой систему плавающих кольцевых p{+}-n-переходов. Модель базируется на экспериментальных вольт-амперных характеристиках межкольцевых промежутков, которые получены для детекторов, изготовленных на высокоомном кремнии с удельным сопротивлением от 1 до 25 кОм x см. Физической основой модели является инжекционный принцип протекания тока через межкольцевые промежутки VTS, что становится возможным при определенном распределении электрического поля в областях пространственного заряда p{+}-n-переходов чувствительного контакта и колец. Показано, что протекание инжекционного тока является универсальным принципом работы VTS с плавающими кольцами и приводит к жесткой стабилизации потенциалов отдельных колец, в результате чего возможно осуществить требуемое деление потенциала независимо от удельного сопротивления полупроводникового материала. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p547-553.pdf Доп.точки доступа: Вербицкая, Е. М.; Еремин, В. К.; Сафонова, Н. Н.; Еремин, И. В.; Тубольцев, Ю. В.; Голубков, С. А.; Коньков, К. А. |