Транспорт электронов в квантовой яме GaAs в сильных электрических полях [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1217-1221 : ил. - Библиогр.: с. 1220-1221 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs -- электроны -- рассеяние -- рассеяние электронов -- электрические поля -- сильные электрические поля -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- дрейфовая скорость -- фононы -- оптические фононы Аннотация: Определены скорости внутри- и межподзонного рассеяния электронов на полярных оптических и междолинных фононах в зависимости от энергии электрона и ширины глубокой прямоугольной квантовой мы GaAs. Методом Монте-Карло вычислены полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах шириной 10, 20 и 30 нм. Показано, что дрейфовая скорость в сильных электрических полях в квантовой яме значительно превышает максимальную дрейфовую скорость насыщения в объемном материале. Доп.точки доступа: Пожела, Ю.; Пожела, К.; Рагуотис, Р.; Юцене, В. |
Влияние температуры на дрейфовую скорость электронов в полупроводниковой сверхрешетке в продольном электрическом и наклонном магнитном полях [Текст] / А. Г. Баланов [и др. ] // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2010. - Т. 18, N 3. - С. 128-139. - Библиогр.: с. 138-139 (17 назв. ) . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые сверхрешетки -- дрейфовая скорость -- Блох-циклотронный резонанс -- резонансы Аннотация: Изучается влияние температуры на дрейфовую скорость электронов в полупроводниковой сверхрешетке в продольном электрическом и наклонном магнитном полях. Показано, что в наклонном магнитном поле температурное распределение электронов по скоростям может усиливать эффекты, связанные с резонансам блоховской и циклотронной частот. В частности, увеличение температуры приводит к более выраженным резонансным максимумам на профиле зависимости дрейфовой скорости электронов от напряжённости продольного электрического поля. Данный эффект объясняется особенностями нелинейной динамики электронов вблизи Блох-циклотронных резонансов. Доп.точки доступа: Баланов, Александр Геннадьевич (кандидат физико-математических наук); Короновский, Алексей Александрович (доктор физико-математических наук, профессор); Сельский, Антон Олегович (студент); Храмов, Александр Евгеньевич (доктор физико-математических наук, профессор) |
621.315.592 П 440 Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs [Текст] / И. С. Васильевский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1214-1218 : ил. - Библиогр.: с. 1217 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроны -- дрейфовая скорость -- подвижность электронов -- электрические поля -- сильные электрические поля -- квантовые ямы -- КЯ -- гетероструктуры -- InAlAs/InGaAs/InAlAs -- полярные оптические фононы -- селективно-легированные гетероструктуры -- эффект Ганна -- Ганна эффект -- комнатная температура -- интерфейсные фононы -- интерфейсы -- барьеры Аннотация: Экспериментально получено повышение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах селективно-легированных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs путем регулирования состава полупроводников, составляющих интерфейс. В метаморфной структуре In[0. 8]Ga[0. 2]As/In[0. 7]Al[0. 3]As с высокой мольной долей In (0. 7-0. 8) на интерфейсе подвижность электронов достигает 12. 3 x 10{3} см{2} x B{-1} x с{-1} при комнатной температуре. Получено увеличение подвижности электронов в 1. 1-1. 4 раза при введении тонких (1-3 нм) слоев InAs в квантовую яму селективно-легированных гетероструктур In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As. Максимальная дрейфовая скорость достигает 2. 5 x 10{7} см/с в электрических полях 2-5 кВ/см. Величина порогового поля F[th] для междолинного Gamma-L переброса электронов (эффект Ганна) в квантовой яме InGaAs в 2. 5-3 раза выше, чем в объемном материале. Установлен эффект двух/трехкратного снижения величины порогового поля F[th] в квантовой яме InGaAs при увеличении мольной доли In в барьере InAlAs, а также при введении тонких InAs-вставок в квантовую яму InGaAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1214-1218.pdf Доп.точки доступа: Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пожела, К.; Пожела, Ю.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Жураускене, Н.; Кершулис, С.; Станкевич, В. |
537.311.33 О-664 Орлов, М. Л. Выходные характеристики короткоканального полевого транзистора In[053], Ga[0, 47], As/In[0, 52], Al[0, 48], As с двумерным электронным газом и особенности генерации им терагерцевого излучения [Текст] / М. Л. Орлов // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 115-118. - Библиогр.: c. 118 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): короткоканальные полевые транзисторы -- двумерный электронный газ -- терагерцевое излучение -- выходные характеристики -- резонансная генерация -- дрейфовая скорость -- циклотронная частота электронов Аннотация: Проведены измерения излучающих характеристик полевого транзистора. |
539.2 М 171 Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой / А. Шиленас [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 348-352 : ил. - Библиогр.: с. 351 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): легированные структуры -- структуры -- дрейфовая скорость -- электроны -- квантовые ямы -- гетероструктуры -- электрические поля -- InAs-вставки -- плотность электронов -- легирование -- арсенидгаллиевые структуры Аннотация: Исследована зависимость подвижности и дрейфовой скорости электронов от условий роста, толщины и параметров легирования InAs-вставки в центре квантовой ямы селективно легированной гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InAlAs. Получено рекордное повышение до (2-4) x 10{7} см/с дрейфовой скорости электронов в электрическом поле 5 x 10{3} В/см в квантовый яме InGaAs толщиной 17 нм при толщине нелегированной InAs-вставки 4 нм. Показано, что при дополнительном легировании InAs-вставки с повышением плотности электронов в квантовой яме до 4. 0 x 10{12} см{-2} максимальная дрейфовая скорость достигает 2 x 10{7} см/с в поле 7 x 10{3} В/см. The influence of growth conditions, thickness and doping level of the InAs insert located in a center of the quantum well (QW) of the selectively-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures was investigated. The record increase of the maximal drift velocity up to (2-4 x 10{7}) cm/s is obtained at the electric field of 5 x 10{3}V/cm when the undoped InAs thickness was 4 nm and the QW width was 17 nm. It is shown that the additional doping of the InAs insert up to electron density of 4. 0 x 10{12} cm{-2} in the InGaAs QW reduces the electron mobility, but in spite of that, maximal drift velocity reaches 2 x 10{7} cm/s at the electric field of7 x 10{3} V/cm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p348-352.pdf Доп.точки доступа: Шиленас, А.; Пожела, Ю.; Юцене, В.; Василевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Пушкарев, С. С.; Климов, Е. А.; Пожела, К. |