Спектры комбинационного рассеяния света и горячей люминесценции квантовых проволок Zn[1-x] Mn[x] T[e] [Текст] / В. С. Виноградов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 8. - С. 1634-1638. - Библиогр.: с. 1638 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рассеяния света -- люминесценция квантовых проволок -- квантовые проволоки -- горячая люминесценция Аннотация: Исследованы спектры комбинационного рассеяния света и люминесценции квантовых проволок (КП) Zn[1-x]Mn[x]Te (0 больше или = x меньше или = 0. 6). КП выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке (100) GaAs с использованием Au в качестве катализатора. Спектр оптических фононов в КП ZnMnTe изменяется с изменением x в соответствии с промежуточным (между одно- и двухмодовым) типом перестройки. Произведен анализ спектра оптических фононов с использованием микроскопической теории. Результаты эксперимента и теории удается согласовать, если произвести деформацию ранее рассчитанной плотности фононных состояний ZnTe. Обнаружено влияние эффектов пространственного ограничения на электронные состояния в КП Zn[1-x]Mn[x]Te. Доп.точки доступа: Виноградов, В. С.; Заварицкая, Т. Н.; Karczewski, G.; Zaleszczyk, W.; Кучеренко, И. В.; Мельник, Н. Н. |
539.2 И 889 Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне / К. В. Маремьянин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 11. - С. 1499-1502 : ил. - Библиогр.: с. 1502 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантово-каскадные структуры -- GaAs/AlGaAs -- оптические методы -- горячая люминесценция -- импульсное возбуждение -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- электронный газ -- неравновесные носители -- арсенидгаллиевые структуры Аннотация: Выполнено исследование фотолюминесценции с временным разрешением квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs в условиях мощного импульсного возбуждения, которое дало возможность в начальные моменты времени после возбуждения наблюдать особенности на спектре фотолюминесценции, соответствующиe как переходам между основными, так и между возбуждeнными состояниями двух туннельно-связанных ям, которые не видны при интегральных измерениях спектров фотолюминесценции. Показано, что высокий уровень накачки приводит к сильному разогреву электронного газа в начальный момент времени, что и позволяет наблюдать межзонные переходы не только между основными, но и между возбужденными состояниями. Характерное время остывания неравновесных носителей составляло ~125 пс. In this work the time-resolved photoluminescence study in GaAs/AlGaAs quantum-cascade structures under high pulse excitation has been performed. In general the measurements was shown that at the initial moments after the excitation observed the features on the photoluminescence spectrum corresponding to transitions between the ground states as well as between the two excited states of the tunnel coupled wells, which are not observed at cw measurements of photoluminescence spectra. Shown, that high levels of pumping leads to strong heating of the electron gas at the initial time, and that allows us to observe not only the interband transitions between the ground states, but also between the excited states. Tipical relaxation time of nonequilibrium carriers was ~ 125 ps. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/11/p1499-1502.pdf Доп.точки доступа: Маремьянин, К. В.; Крыжков, Д. И.; Морозов, С. В.; Сергеев, С. М.; Курицын, Д. И.; Гапонова, Д. М.; Алешкин, В. Я.; Садофьев, Ю. Г.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского |