621.315.592
Р 680


   
    Роль собственных дефектов при расщеплении энергетических спектров носителей заряда в Ag[2]Te [Текст] / М. Б. Джафаров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 884-888 : ил. - Библиогр.: с. 888 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233 + 22.36
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

   Физика

   Молекулярная физика в целом

Кл.слова (ненормированные):
запрещенные зоны -- собственные дефекты -- дефекты -- энергетические спектры -- носители заряда -- теллурид серебра -- энергетические структуры -- анализ результатов -- атомы серебра -- подрешетки
Аннотация: Проведен расчет ширины запрещенной зоны и ее температурного коэффициента в зависимости от концентрации дефектов в теллуриде серебра с избытком Те и Ag. На основе полученных данных проанализирована корреляция между энергетическим спектром носителей заряда и дефектностью теллурида серебра. Установлено, что корреляция является отражением более общих фундаментальных связей между энергетической структурой и концентрацией дефектов в Ag[2]Te, обусловленных ионами и вакансиями атомов серебра в подрешетке.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p884-888.pdf

Доп.точки доступа:
Джафаров, М. Б.; Алиев, Ф. Ф.; Гасанова, Р. А.; Саддинова, А. А.


621.315.592
Ш 264


    Шаров, М. К.
    Электрофизические свойства твердых растворов серебра в PbTe [Текст] / М. К. Шаров // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 613-615 : ил. - Библиогр.: с. 615 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

   Физика

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
электрофизические свойства -- твердые растворы -- серебро -- теллурид свинца -- PbTe -- теплодвижующая сила -- удельная электропроводность -- нелегированные кристаллы -- кристаллы -- дырки -- атомы серебра -- концентрация дырок -- экспериментальные результаты
Аннотация: Измерены коэффициент термоэлектродвижущей силы alpha[0] и удельная электропроводность sigma твердых растворов Pb[1-x]Ag[x]Te, где x= (0-0. 007) при T=300 K. Рассчитана концентрация дырок p. Все образцы имели дырочный тип проводимости. При увеличении содержания серебра alpha[0] падает, а p и sigma растут. Для нелегированных кристаллов alpha[0]=251. 0 мкВ/K, p=1. 1 x 10{18} см{-3}, sigma=165 Ом{-1} x см{-1}. На границе растворимости серебра при x=0. 007, alpha[0]=193. 8 мкВ/K, p=2. 3 x 10{18} см{-3}, sigma=216 Ом{-1} x см{-1}. Концентрация дырок во всех образцах намного меньше концентрации введенных атомов серебра. Дырочный газ в твердых растворах Pb[1-x]Ag[x]Te является слабо вырожденным во всей области концентраций серебра.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p613-615.pdf


539.2
В 586


   
    Влияние состава на электрические свойства низкотемпературных ионных проводников в системе Cu[1-x]Ag[x]GeAsSe[3] [Текст] / О. Л. Хейфец [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1466-1469. - Библиогр.: с. 1469 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
электрические свойства -- низкотемпературные ионные проводники -- ионные проводники -- халькогениды -- атомы серебра -- атомы меди
Аннотация: Синтезированы и исследованы электрические свойства халькогенидов Cu[1-x]Ag[x]GeAsSe[3] (x=0. 5, 0. 8, 0. 9) при низких температурах. Соединения такого типа являются электронно-ионными проводниками со смешанным характером проводимости. Показано, что замена части атомов серебра в соединении AgGeAsSe[3] на атомы меди приводит к уменьшению полной проводимости, снижению доли ионной составляющей проводимости, значительному увеличению времен поляризации, повышению температуры начала заметного (по сравнению с электронным) вклада ионного переноса, понижению энергии активации носителей.


Доп.точки доступа:
Хейфец, О. Л.; Мельникова, Н. В.; Филиппов, А. Л.; Шакиров, Э. Ф.; Бабушкин, А. Н.; Нугаева, Л. Л.


538.9
E 27


   
    Efficient step-mediated intercalation of silver atoms deposited on the Bi[2]Se[3] surface / M. M. Otrokov [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 11. - С. 799-803
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
атомы серебра -- серебро -- промежуток Ван-дер-Ваальса -- Ван-дер-Ваальса промежуток -- топологические изоляторы -- кристаллы


Доп.точки доступа:
Otrokov, M. M.; Borisova, S. D.; Chis, V.; Vergniory, M. G.; Eremeev, S. V.; Kuznetsov, V. M.; Chulkov, E. V.