538.9 Н 482 Некрашевич, С. С. Изучение атомной и электронной структуры аморфного нитрида кремния и дефектов в нем [Текст] / С. С. Некрашевич, А. В. Шапошников, В. А. Гриценко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 3. - С. 220-223
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): нитрид кремния -- аморфный нитрид кремния -- молекулярная динамика Кар-Паринелло -- Кар-Паринелло молекулярная динамика Аннотация: С помощью молекулярной динамики Кар-Паринелло методом охлаждения из расплава смоделирована структура аморфного нитрида кремния. Выявлено несколько типов координации дефектов Si-Si. Обнаружено, что помимо "обычных" Si-Si-связей, в аморфной структуре присутствует значительное количество двойных Si-Si связей (Si-Si-Si дефектов). Доп.точки доступа: Шапошников, А. В.; Гриценко, В. А. |
538.95-405:539.12.04 И 755 Ионные треки в аморфном нитриде кремния [Текст] / Л. А. Власукова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 2. - С. 226-228. - Библиогр.: c. 228 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): аморфный нитрид кремния -- атомно-силовая спектроскопия -- ионные треки -- модель термического пика -- нитрид кремния -- режим электронных потерь -- сканирующая электронная микроскопия -- температура плавления -- температурные поля -- травление треков -- электронные потери Аннотация: Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si[3]N[4]/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20. 4 кэВ х нм[-1]). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика. Доп.точки доступа: Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Скуратов, В. А.; Дидык, А. Ю.; Плякин, Д. В. |