Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Николаев, Ю. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 16

1-10 11-16

534.222.2
Г 12

Гавриленко, Т. П.
Пределы детонационно-газового напыления [Текст] / Т. П. Гавриленко, авт. Ю. А. Николаев // Физика горения и взрыва. - 2006. - Т. 42, N 5. - С. 113-116. - Библиогр.: с. 116 (5 назв. ). - Ил.: табл. . - ISSN 0430-6228

УДК

534.222.2

ББК 22.32
Рубрики: Физика--Акустика
Кл.слова (ненормированные):
детонация; напыление; детонационно-газовое напыление; порошковые материалы; адгезия; когезия; газотермические способы напыления; температура плавления; газовые потоки; стальные подложки; корунд; диоксид циркония; теплозащитные покрытия
Аннотация: Для ряда порошковых материалов, материалов подложки, размеров стволов установок и составов взрывчатых газовых смесей рассчитаны максимально достижимые прочности адгезии и когезии. Эти данные дают наглядное представление об областях применимости детонационно-газового напыления.

Доп.точки доступа:
Николаев, Ю. А.

Найти похожие

519.626
Н 63

Николаев, Ю. А.
Приближенное вычисление скоростей многокомпонентной диффузии [Текст] / Ю. А. Николаев // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2006. - Т. 46, N 7. - С. 1283-1285. - Библиогр.: с. 1285 . - ISSN 0044-4669

УДК

519.626

ББК 22.19
Рубрики: Математика--Вычислительная математика
Кл.слова (ненормированные):
вычисление скоростей многокомпонентной диффузии; приближенные методы; гидродинамическая теория; многокомпонентная диффузия
Аннотация: В теории горения, как правило, используется закон диффузии Фика. К недостатку этой модели следует отнести нарушение закона сохранения импульса. Гидродинамическая теория многокомпонентной диффузии лишена этого недостатка. Предлагается высокоэффективный метод приближенного решения уравнений многокомпонентной гидродинамики, сравнимый по объему вычислений с моделью диффузии Фика.

Найти похожие

53
Б 75

Боднарь, И. В.
Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе тройных полупроводников CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] [Текст] / И. В. Боднарь, В. Ф. Гременок [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 3. - С. 32-38 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные структуры -- фоточувствительность -- поликристаллические пленки -- полупроводники -- тройные полупроводниковые соединения
Аннотация: Методом лазерного импульсного испарения исходных объемных кристаллов p-CuIn[3]Se[5] и n-CuIn[5]Se[8] выращены поликристаллические пленки CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] n-типа проводимости толщиной 0. 4-1 мюm, температурные зависимости удельного сопротивления которых определяются глубокими донорами с энергией активации E[D] ? 0. 2-0. 3 eV. На основе полученных пленок созданы первые фоточувствительные тонкопленочные структуры In/p-CuInSe и In/n-CuIn[5]Se[8] и изменены первые спектры их фоточувствительности. Продемонстрированы возможности применения тонких пленок CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения.

Доп.точки доступа:
Гременок, В. Ф.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

53
Н 632

Николаев, Ю. А.
Фоточувствительность гетеропереходов, полученных термическим окислением InP [Текст] / Ю. А. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы -- фосфид индия -- термическое окисление -- фоточувствительность
Аннотация: Методом термического окисления впервые получены гетеропереходы n-Ox/p-InP. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фотовольтаический эффект полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении. Обсуждаются особенности токопереноса и широкополосная фоточувствительность. Сделан вывод о возможностях применения метода термического окисления InP для создания на его основе гетерофотоэлементов.

Доп.точки доступа:
Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

534
Г 124

Гавриленко, Т. П.
Расчет процесса детонационно-газового напыления [Текст] / Т. П. Гавриленко, авт. Ю. А. Николаев // Физика горения и взрыва. - 2007. - N 6. - С. 112-120. - Библиогр.: с. 120 (11 назв. ). - Ил.: схем., табл. . - ISSN 0430-6228

УДК

534

ББК 22.32
Рубрики: Физика--Акустика
Кл.слова (ненормированные):
детонационно-газовое напыление; напыление; детонация; детонационные установки; порошковые покрытия; газы; взрывчатые смеси; инициирование детонации; смесители газов; порошки
Аннотация: Модель процессов в стволе детонационной установки для напыления порошковых покрытий, учитывающая переменный состав рабочих газов в стволе.

Доп.точки доступа:
Николаев, Ю. А.

Найти похожие

Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te [Текст] / Г. А. Ильчук [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 49-53. - Библиогр.: c. 53 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
фоточувствительность -- поверхностно-барьерные структуры -- точечные структуры -- твердые растворы -- алмазоподобные полупроводники -- магнитные полупроводники -- оптические переходы
Аннотация: Предложены и впервые получены два новых типа фоточувствительных структур на монокристаллах твердых растворов алмазоподобных магнитных полупроводников Cd[1-x]Mn[x]Te (x=0-0. 7). Выполнены исследования фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных In/Cd[1-x]Mn[x]Te и сварных структур св/Cd[1-x]Mn[x]Te при T=300 K. Проведен сопоставительный анализ закономерностей спектров фоточувствительности полученных структур, что позволило определить характер межзонных оптических переходов и значения ширины запрещенной зоны в кристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в разработках приборов магнитной фотоэлектроники.

Доп.точки доступа:
Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур: собственный окисел / Cd[x]Mn[1-x]Te [Текст] / Г. А. Ильчук [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 24. - С. 24-31 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические свойства -- гетероструктуры -- межзонные переходы
Аннотация: Предложена новая технология формирования энергетического барьера на кристаллах твердого раствора Cd[1-x]Mn[x]Te и впервые получены выпрямляющие фоточувствительные гетероструктуры Ox/Cd[1-x]Mn[x]Te (x=0. 6/1). Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектры относительной квантовой эффективности фотопреобразования новых гетероструктур. Обсуждаются энергетический спектр и характер межзонных переходов Cd[1-x]Mn[x]Te. Открыта возможность использования процесса окисления для создания гетерофотопреобразователей на кристаллах разбавленных магнитных полупроводников Cd[1-x]Mn[x]Te.

Доп.точки доступа:
Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

Использование алкилоксибензолов для повышения активности и стабильности ферментов [Текст] / Е. И. Мартиросова [и др. ] // Химическая технология. - 2007. - N 6. - С. 250-256. - Библиогр.: с. 256 (21 назв. ) . - ISSN 1684-5811

УДК

^a66

ББК 35
Рубрики: Химическая технология
Общие вопросы химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
активность ферментов -- алкилоксибензолы -- ауторегуляторные факторы -- микробные культуры -- плотностные ауторегуляторы -- стабильность ферментов -- ферменты
Аннотация: Расширен спектр химических аналогов микробных плотностных ауторегуляторов в отношении их действия на активность и стабильность ферментов (микробных протеаз и амилаз).

Доп.точки доступа:
Мартиросова, Е. И.; Николаев, Ю. А.; Крылов, И. А.; Шаненко, Е. Ф.; Крупянский, Ю. Ф.; Лойко, Н. Г.; Эль-Регистан, Г. И.

Найти похожие

Поляризационная фоточувствительность барьеров Шоттки на кристаллах ZnAs[2] моноклинной модификации [Текст] / Ю. А. Николаев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 36-40. - Библиогр.: c. 40 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- арсенид цинка -- фоточувствительность -- поляризационная фоточувствительность -- фоточувствительные барьеры Шоттки -- направленная кристаллизация
Аннотация: Методом направления кристаллизации близкого к стехиометрическому составу соединения расплава выращены монокристаллы ZnAs[2] моноклинной модификации, на которых созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки Cu (In) /p-ZnAs[2] и получены их первые спектры фоточувствительности в естественном и линейнополяризованном излучении. Обнаружена поляризационная фоточувствительность новых структур. На основании анализа спектров фотоактивного поглощения моноклинной модифицации ZnAs[2] установлено, что минимальные прямые межзонные переходы в этих кристаллах преимущественно разрешены в поляризации E|| оси OZ и могут быть использованы, в частности, при создании новых устройств - поляризационно-управляемых переключателей спектрального диапазона фоторегистрации падающего излучения.

Доп.точки доступа:
Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

10.

Внедрение лития в тонкие пленки оксидов ванадия [Текст] / Е. И. Теруков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 23. - С. 82-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a544

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
электроды -- тонкопленочные электроды -- ванадий -- V -- оксиды ванадия -- литий -- Li -- тонкие пленки -- термическое окисление -- вакуумно-осажденные пленки -- внедрение лития -- электролиты -- апротонные электролиты -- аккумуляторы -- литий-ионные аккумуляторы -- тонкопленочные литий-ионные аккумуляторы
Аннотация: Тонкопленочные электроды на основе оксидов ванадия получены термическим окислением вакуумно-осажденных пленок ванадия. Показано, что такие электроды обладают способностью к обратимому внедрению лития из апротонных электролитов и имеют начальную емкость более 250 mAh/g. Такие электроды перспективны для использования в тонкопленочных литий-ионных аккумуляторах.

Доп.точки доступа:
Теруков, Е. И.; Никитин, С. Е.; Николаев, Ю. А.; Кулова, Т. Л.; Скундин, А. М.

Найти похожие

11.

Гавриленко, Т. П.
Использование пересжатой детонации для нанесения покрытий [Текст] / Т. П. Гавриленко, Ю. А. Николаев, В. Ю. Ульяницкий // Физика горения и взрыва. - 2010. - Т. 46, N 3. - С. 125-133 : 5 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 133 (16 назв. )

УДК

^a544.45

ББК 24.543
Рубрики: Химия
Горение. Взрыв
Кл.слова (ненормированные):
газовая детонация -- пересжатая детонация -- нанесение покрытий -- детонационное напыление -- детонация Чепмена - Жуге -- Чепмена - Жуге детонация -- детонация ЧЖ -- детонационные покрытия -- детонационные волны
Аннотация: Использование пересжатых детонационных волн позволяет производить покрытия из порошковых материалов с высокой температурой плавления, а также улучшить качество покрытий из менее тугоплавких материалов. Кинетическая и тепловая энергия продуктов детонации за фронтом пересжатых детонационных волн значительно выше, чем за фронтом самоподдерживающихся детонационных волн Чепмена - Жуге, обычно используемых для напыления.

Доп.точки доступа:
Николаев, Ю. А.; Ульяницкий, В. Ю.

Найти похожие

12.

Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs) : создание и свойства [Текст] / Ю. А. Николаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 372-376 : ил. - Библиогр.: с. 376 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полисалицилиденазометины -- ПСА -- гетеропереходы -- ГП -- создание гетеропереходов -- свойства гетеропереходов -- фоточувствительность -- широкополосные фотопреобразователи -- оптическое излучение -- полимеры -- тонкие пленки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- GaAs
Аннотация: Предложена и реализована атермическая безвакуумная технология и впервые созданы гетеропереходы неклассически полисопряженные полисалицилиденазометины/Si (GaAs). Установлено, что максимальная фоточувствительность полученных гетеропереходов достигается при их освещении со стороны тонких пленок полимеров в спектральном диапазоне 1-3. 5 эВ. Сделан вывод о возможности применения новых гетеропереходов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.

Доп.точки доступа:
Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.; Геллер, Н. М.; Иванов, А. Г.; Шаманин, В. В.

Найти похожие

13.

544.45
Н 632

Николаев, Ю. А.
Идентификация Тунгусской катастрофы с взрывом метановоздушного облака, инициированным небольшим, "медленно" и полого летящим метеоритом [Текст] / Ю. А. Николаев, авт. П. А. Фомин // Физика горения и взрыва. - 2011. - Т. 47, N 2. - С. 112-127 : 15 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 126-127 (42 назв. ) . - ISSN 0430-6228

УДК

544.45

523.44

ББК 24.543 + 22.655
Рубрики: Химия
   Горение. Взрыв
   Астрономия
   Малые тела солнечной системы
Кл.слова (ненормированные):
Тунгусский взрыв -- Тунгусский метеорит -- метеориты -- тороидальные облака -- вывал леса -- модельные эксперименты
Аннотация: Развита, всесторонне проанализирована и подтверждена гипотеза о Тунгусском событии как взрыве тороидального облака, образованного разовым выбросом метана в атмосферу. Взрыв инициирован небольшим, "медленно" и полого летящим метеоритом. Выяснена газогидратная природа выброса метана и указана область, откуда произошел выброс. Рассчитаны траектории метеорита, оценены его максимальный и минимальный размеры. Определено наиболее вероятное место падения метеорита. Статистически обработан проведенный модельный эксперимент по вывалу леса (взрыв детонирующего шнура в форме кольца над "лесом" из проволочек). Показано, что вывал проволочек не только внешне похож на реальную картину вывала леса, но и эквивалентен ей статистически. Дано объяснение световым, акустическим и атмосферным явлениям, связанным с Тунгусским событием.

Доп.точки доступа:
Фомин, П. А.

Найти похожие

14.

539.2
П 782

Проводимость нанокомпозита на основе модифицированных углеродных многостенных нанотрубок, полученного методом направленного спиннинга / А. А. Бабаев [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 10. - С. 1124-1127 : 4 рис. - Библиогр.: с. 1127 (15 назв. ) . - ISSN 0002-337Х

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокомпозиты -- модифицированные углеродные многостенные нанотрубоки -- нанотрубоки -- углеродные нанотрубоки -- метод направленного спиннинга
Аннотация: Получены пленки нанокомпозита на основе модифицированных многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ) и полимера (МУНТ/полимер (95/5 мас. %). Нанокомпозит наносили на подложку из бумаги методом ориентированного спиннинга из жидкой фазы. Исследована температурная зависимость удельного сопротивления полученных пленок вдоль и поперек нанотрубок в диапазоне 20–140°С. Обнаружен необратимый переход от полупроводникового к металлическому характеру проводимости.

Доп.точки доступа:
Бабаев, А. А.; Хохлачев, П. П.; Николаев, Ю. А.; Теруков, Е. И.; Фрейдин, А. Б.; Филиппов, Р. А.; Филиппов, А. К.; Манабаев, Н. К.

Найти похожие

15.

621.383
М 744

Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе a-Si:H в течение светового дня / Ю. В. Крюченко [и др.]. // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 11. - С. 78-85. - Библиогр.: c. 85 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.383

ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- КПД солнечных элементов -- выходная мощность солнечных элементов -- аморфный кремний
Аннотация: Проведено теоретическое моделирование временных зависимостей ключевых характеристик солнечных элементов на основе a-Si : H в течение светового дня. Модель позволила рассчитать временные зависимости для произвольной географической широты в пределах от 30 до 60{o} и для произвольного дня в году. Проиллюстрированы результаты расчетов для географической широты 45{o} в день равноденствия. Полученные результаты для относительных изменений характеристик солнечных элементов на основе a-Si: H с достаточно хорошей точностью справедливы и для солнечных элементов на основе других полупроводников, если их КПД находится в диапазоне от 7 до 20%.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/11/p78-85.pdf

Доп.точки доступа:
Крюченко, Ю. В.; Саченко, А. В.; Бобыль, А. В.; Костылев, В. П.; Соколовский, И. О.; Теруков, Е. И.; Вербицкий, В. Н.; Николаев, Ю. А.; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе

Найти похожие

16.

621.383
Г 593

Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе a-Si:H / Ю. В. Крюченко [и др.]. // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 11. - С. 86-91. - Библиогр.: c. 91 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.383

ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- аморфный кремний -- мощность фотопреобразования -- солнечные электростанции
Аннотация: Для солнечных элементов (СЭ) на основе a-Si: H рассчитаны годовые зависимости мощностей и энергий, генерируемых единицей площади CЭ на широтах 45{o}N, 50{o}N, 55{o}N, 60{o}N. Нормировка этих зависимостей позволяет получить представление о соответствующих годовых зависимостях для CЭ на основе других полупроводников. В совокупности с данными о среднем числе солнечных дней в году (или о суммарной продолжительности солнечного сияния за год) это позволяет, в частности, судить о перспективности определенных районов для строительства солнечных электростанций.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/11/p86-91.pdf

Доп.точки доступа:
Крюченко, Ю. В.; Саченко, А. В.; Бобыль, А. В.; Костылев, В. П.; Соколовский, И. О.; Теруков, Е. И.; Вербицкий, В. Н.; Николаев, Ю. А.; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе

Найти похожие

1-10 11-16

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)