Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Негуляев, Н. Н.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
537.533.35.7 : 519.245
Ч 465

    Черемухин, Е. А.
    Моделирование эффекта зарядки тонких диэлектрических пленок методом Монте-Карло [Текст] / Е. А. Черемухин, Н. Н. Негуляев [и др.] // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 1. - Библиогр.: с. 51 (19 назв. ) . - ISSN 0201-7385
УДК
537.533.35.7 : 519.245
ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
метод Монте-Карло -- диэлектрические пленки -- электронная литография -- эффект зарядки
Аннотация: На основе метода Монте-Карло в приближении однократного рассеяния рассмотрены различные модели взаимодействия электронов ( с энергиями 1-100 кэВ ) с веществом. В рамках этих моделей описан эффект зарядки в облучаемом образце, состоящем из тонкого слоя диэлектрика, нанесенного на металл. Произведен расчет распределения потенциала электрического поля и поляризации в объеме мишени. Показано, что зарядка верхнего слоя образца может приводить к значительной потере точности в электронной литографии.


Доп.точки доступа:
Негуляев, Н. Н.; Борисов, С. С.; Зайцев, С. И.; Грачев, Е. А.

Найти похожие
2.
537.312
Н 419

    Негуляев, Н. Н.
    Влияние термоэлектретного эффекта на разрядку облученного электронным пучком диэлектрика [Текст] / Н. Н. Негуляев, С. И. Зайцев, Е. А. Грачев // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 46 ( 8 назв. ) . - ISSN 0201-7385
УДК
537.312
ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
термоэлектретный эффект -- диэлектрическая пленка -- релаксация заряда -- электронорезисторы -- электронная литография
Аннотация: Исследован процесс деполяризации облученной электронным пучком тонкой диэлектрической пленки с учетом термоэлектрического эффекта. Установлено, что его появление приводит к увеличению скорости спада потенциала на поверхности мишени и возрастанию времени релаксации заряда в объеме образца. Показано, что термоэлектретный эффект может использоваться для косвенного измерения температуры электронорезисторов в электронной литографии.


Доп.точки доступа:
Зайцев, С. И.; Грачев, Е. А.

Найти похожие
3.
537.533.7
Н 41

    Негуляев, Н. Н.
    О надежности одного вида гладкой аппроксимации стохастических данных [Текст] / Н. Н. Негуляев // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 6. - С. 3-6. - Библиогр.: с. 6 (6 назв. ) . - ISSN 0201-7385
УДК
537.533.7
ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
стохастический эксперимент; гладкая аппроксимация; функция плотности; энерговыделения электрона; метод Монте-Карло; Монте-Карло метод; трехмерные гауссовые функции
Аннотация: Исследована связь между погрешностью данных, получаемых в результате стохастического компьютерного эксперимента, и качеством их гладкой аппроксимации. В качестве примера рассмотрено описание функции плотности энерговыделения электрона, рассчитываемой с помощью имитационного моделирования методом Монте-Карло, суммой двух трехмерных гауссовых функций.


Найти похожие
4.
621.38
Н 419

    Негуляев, Н. Н.
    Критерии применимости приближения слабой генерации для полупроводников с диффузионными длинами свыше 10 мкм в одноэлектронной схеме формирования сигнала в методе наведенного тока [Текст] / Н. Н. Негуляев, авт. Е. Б. Якимов // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 4. - С. 470-474. - Библиогр.: с. 474 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
621.38
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника
Кл.слова (ненормированные):
электронная микроскопия -- метод наведенного тока -- МНТ -- полупроводники -- приближения слабой генерации -- ПСГ
Аннотация: Определены критерии применимости приближения слабой генерации для полупроводников с большими диффузионными длинами в одноэлектронной схеме формирования сигнала в методе наведенного тока.


Доп.точки доступа:
Якимов, Е. Б.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)