Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ядерные излучения<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Планарные Si (Li) -детекторы с большим чувствительным объемом [Текст] / Ю. Б. Гуров [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 1. - С. 42-44. - Библиогр.: с. 44 (3 назв. ) . - ISSN 0032-8162

УДК

^a539.1

ББК 22.38
Рубрики: Физика
Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
детекторы -- кремниевые детекторы -- литий-дрейфовые кремниевые детекторы -- планарные детекторы -- Si (Li) -детекторы -- спектроскопия -- ядерные излучения -- экзотические ядра на ускорителях
Аннотация: Представлены результаты разработки и исследования литий-дрейфовых кремниевых детекторов с большим чувствительным объемом и глубиной чувствительного слоя 4-8 мм для многослойных спектрометров. Показаны основные характеристики детекторов. Детекторы успешно использовались в спектроскопии ядерных излучений, в частности в экспериментах по изучению экзотических ядер на ускорителях.

Доп.точки доступа:
Гуров, Ю. Б.; Катулина, С. Л.; Розов, С. В.; Сандуковский, В. Г.; Yurkowski, J.

Найти похожие

Выращивание и отжиг кристаллов CdZnTe: Cl с разным содержанием цинка для детекторов ядерного излучения [Текст] / Н. К. Зеленина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1419-1425 : ил. - Библиогр.: с. 1424-1425 (43 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- CdZnTe: Cl -- выращивание кристаллов -- отжиг -- кадмий -- давление пара -- цинк -- фотолюминесценция -- ФЛ -- ядерные излучения -- детекторы ядерного излучения -- эффект Холла -- Холла эффект -- фотопроводимость -- примесная фотопроводимость -- время-пролетный метод -- дефекты -- точечные дефекты -- электрофизические свойства -- горизонтальная направленная кристаллизация -- ГНК
Аннотация: Методами фотолюминесценции, эффекта Холла, примесной фотопроводимости, время-пролетным методом исследовалось влияние давления пара кадмия (P[Cd]) при послеростовом отжиге слитков и при отжиге образцов полуизолирующих кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl (x=0. 005, 0. 01, 0. 05, 0. 1) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что управление P[Cd] приводит к изменению концентрации точечных дефектов в кристалле, которые являются ответственными за низкие транспортные характеристики материала. Установлено, что захват свободных дырок происходит на акцепторные уровни как вакансии кадмия, так и вакансии цинка. Исследование электрофизических свойств кристаллов после отжигов при разных давлениях пара кадмия показало, что при малом содержании цинка (x=0. 005 и 0. 01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl оказывают точечные дефекты кадмия, V[Cd]{-2}. Однако уже при содержании цинка x>=0. 05 необходимо учитывать влияние точечных дефектов цинка V[Zn]{-2}, и для получения таких кристаллов с лучшими транспортными характеристиками в процессе выращивания материала необходимо управлять не только давлением пара кадмия, но и давлением пара цинка. Установлена возможность управления основными электрофизическими характеристиками полуизолирующего материала с содержанием цинка x=<0. 01 для детекторов ядерных излучений, выращиваемого методом горизонтальной направленной кристаллизации, путем регулирования давления пара кадмия в процессе послеростового отжига.

Доп.точки доступа:
Зеленина, Н. К.; Карпенко, В. П.; Матвеев, О. А.; Седов, В. Е.; Терентьев, А. И.; Томасов, А. А.

Найти похожие

Барьеры на p-кремнии типа металл-диэлектрик-полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1064-1067 : ил. - Библиогр.: с. 1067 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- p-кремний -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП -- диэлектрики -- нанотолщинные диэлектрики -- нитрид алюминия -- границы раздела -- ГР -- поверхностные состояния -- магнетронное распыление -- детекторы -- ядерные излучения
Аннотация: Анализируется состояние поверхности границы раздела p-кремний- (нанотолщинный диэлектрик). Исследуются спектры DLTS в режимах перезарядки глубоких центров в объеме структуры, а также ее поверхностных состояний. Определен характер шумов в функции величины обратного напряжения в плане применения структуры в качестве детектора ядерных излучений. Сделано заключение, что используемый в структуре барьер обладает более высоким качеством при нанесении нанотолщинных пленок нитрида алюминия путем магнетронного распыления на постоянном, а не переменном токе.

Доп.точки доступа:
Иванов, А. М.; Котина, И. М.; Ласаков, М. С.; Строкан, Н. Б.; Тухконен, Л. М.

Найти похожие

537.311.33
Р 243

Распределение потенциала в охранных структурах с плавающими кольцевыми p-n-переходами кремниевых детекторов излучений [Текст] / Е. М. Вербицкая [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 547-553 : ил. - Библиогр.: с. 553 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

537.311.33^V3

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
p-n переходы -- распределение потенциала -- охранные структуры -- VTS -- детекторы излучений -- ядерные излучения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- удельное сопротивление -- электрическое поле -- кремниевые детекторы -- пространственные заряды -- чувствительные контакты -- кольца (физика) -- плавающие кольца -- инжекционный ток
Аннотация: Предложена модель распределения потенциала в охранных структурах (VTS - voltage terminating structure) кремниевых детекторов ядерных излучений, в которых VTS представляет собой систему плавающих кольцевых p{+}-n-переходов. Модель базируется на экспериментальных вольт-амперных характеристиках межкольцевых промежутков, которые получены для детекторов, изготовленных на высокоомном кремнии с удельным сопротивлением от 1 до 25 кОм x см. Физической основой модели является инжекционный принцип протекания тока через межкольцевые промежутки VTS, что становится возможным при определенном распределении электрического поля в областях пространственного заряда p{+}-n-переходов чувствительного контакта и колец. Показано, что протекание инжекционного тока является универсальным принципом работы VTS с плавающими кольцами и приводит к жесткой стабилизации потенциалов отдельных колец, в результате чего возможно осуществить требуемое деление потенциала независимо от удельного сопротивления полупроводникового материала.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p547-553.pdf

Доп.точки доступа:
Вербицкая, Е. М.; Еремин, В. К.; Сафонова, Н. Н.; Еремин, И. В.; Тубольцев, Ю. В.; Голубков, С. А.; Коньков, К. А.

Найти похожие

621.315.592
В 586

Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений [Текст] / В. К. Еремин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 971-978 : ил. - Библиогр.: с. 978 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

539.1

ББК 31.233 + 22.38
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
облучение нейтронами -- нейтронное облучение -- кремниевые детекторы -- детекторы излучения -- ядерные излучения -- нейтроны -- распределение потенциалов -- VTS -- Voltage Terminating Structure -- p-n переходы -- кольцевые структуры -- электроны -- дырки
Аннотация: Проведено исследование распределения потенциалов по VTS (VTS - Voltage Terminating Structure) кремниевых детекторов ядерных излучений, облученных нейтронами в диапазоне доз от 1 x 10{10} до 5 x 10{15} экв. нейтр. /см{2}, где VTS представляет собой систему плавающих кольцевых p{+}-n-переходов. Показано, что изменение профиля электрического поля в объеме детектора при увеличении дозы облучения является определяющим фактором в распределении потенциалов по VTS. Установлены механизмы функционирования VTS: при дозах облучения менее 5 x 10{14} экв. нейтр. /см{2} распределение потенциалов между кольцами осуществляется по механизму "прокола" межкольцевого промежутка, а при больших дозах контролируется токовым механизмом, определяемым плотностью протекающего в объеме детектора генерационного тока электронов и дырок. Предложенные механизмы функционирования VTS подтверждены экспериментально и путем моделирования.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p971-978.pdf

Доп.точки доступа:
Еремин, В. К.; Фадеева, Н. Н.; Вербицкая, Е. М.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

621.315.592
К 110

К вопросу радиационной стойкости SiC-детекторов ядерного излучения в условиях повышенных рабочих температур [Текст] / А. М. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1422-1426 : ил. - Библиогр.: с. 1425 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.1^V3

ББК 31.233 + 22.38
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
радиационная стойкость -- карбид кремния -- ядерные излучения -- SiC -- детекторы -- радиация -- неравновесные заряды -- локализация носителей -- рекомбинация -- носители заряда -- дефекты структуры -- температурные зависимости -- протоны -- генерационные токи
Аннотация: Отмечается, что благодаря глубокой компенсации проводимости карбида кремния, возникающей при воздействии радиации, в захвате неравновесного заряда в детекторах происходит преобладание локализации (прилипания) носителей над рекомбинацией. Это позволяет, повышая температуру, снижать время удержания носителя заряда центром захвата до значений, меньших времени формирования сигнала электроникой. Для случая дефектов структуры, создаваемых протонами с энергией 6. 5 МэВ, проведена оценка значений температуры, исключающей деградацию сигнала детектора за счет локализации носителей заряда. Определены величины возникающего генерационного тока, шумы которого могут ограничивать работу детектора в режиме спектрометрии.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1422-1426.pdf

Доп.точки доступа:
Иванов, А. М.; Садохин, А. В.; Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А.

Найти похожие

539.1
Ч-804

Что меньше Пикселя? // Химия и жизнь - XXI век. - 2009. - N 7. - С. 2 . - ISSN 1727-5903

УДК

539.1

ББК 22.38
Рубрики: Физика
Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
цифровые технологии -- пиксель -- графическое изображение -- субсегменты -- субсегментированные пиксели -- ядерные излучения
Аннотация: Физики создали образцы полупроводниковых субсегментированных пикселей и разработали узлы электронных устройств для регистрации сигнала от субсегментов.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)