Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=трекообразование<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.
539.2
К 630


    Комаров, Ф. Ф.
    Модель термического пика для описания трекообразования в кристаллах полупроводников, облучаемых тяжелыми высокоэнергетическими ионами [Текст] / Ф. Ф. Комаров, В. Н. Ювченко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
германий -- дефекты -- ионная имплантация -- ионное облучение -- модель термического пика -- трекообразование -- фосфид индия
Аннотация: Впервые рассмотрена применимость модели термического пика для описания процессов дефектообразования и трекообразования в полупроводниковых кристаллах. Рассмотрено влияние таких параметров модели, как теплоемкость, теплопроводность, коэффициент электрон-фононной связи как функций температуры. Сравнение теоретических данных с результатами экспериментов для кристаллов InP и Ge, облучаемых тяжелыми ионами сверхвысоких энергий, свидетельствует об адекватности этого подхода и возможности получать количественные данные для таких характеристик, как температура локальной области около траектории иона, диаметры расплавленной области и экспериментально регистрируемой трековой области. В частности, предсказанный теоретически диаметр цилиндрической расплавленной области, образующейся при прохождении ионов Xe{+} с энергией 250 MeV в InP, составляет 20 nm, а диаметры регистрируемых методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного сечения треков составляют 7-15 nm


Доп.точки доступа:
Ювченко, В.Н.

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)