Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=рентгеновская топография<.>)

Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 12

1-10 11-12

539.2
Т 480

Ткаль, В. А.
Применение цифровой обработки для выявления топографических изображений микродефектов и дефектов фотоэмульсии [Текст] / В. А. Ткаль, А. О. Окунев, Ю. А. Дроздов, Л. Н. Данильчук // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 11. - Библиогр.: с. 28 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

539.2

541.1

620.1/.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Химия--Физическая химия. Химическая физика
Техника--Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
дефекты фотоэмульсии -- зернистость -- идентификация дефектов -- микродефекты фотоэмульсии -- обработка материалов -- рентгеновская топография -- топография -- фотообработка -- фотоэмульсии -- цифровая обработка
Аннотация: Рассматриваются результаты цифровой обработки контраста, создаваемого в монокристаллах кремния микродефектами, зернистостью и дефектами фотоэмульсий, применяемых в рентгеновской топографии.

Доп.точки доступа:
Окунев, А. О.; Дроздов, Ю. А.; Данильчук, Л. Н.

Найти похожие

53
П 844

Прохоров, И. А.
Исследование структурных особенностей кристаллов GaSb (Si), выращенных в различных условиях тепломассопереноса, комплексом дифракционных методов [Текст] / И. А. Прохоров, Ю. А. Серебряков [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 5. - С. 36-41 . - ISSN 0207-3528

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы GaSb (Si) -- структурные особенности кристаллов -- тепломассоперенос -- методы выращивания кристаллов -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- дифракционные методы исследования -- рентгеновская топография
Аннотация: Методами рентгеновской топографии, двух- и трехкристальной дифрактометрии исследованы структурные особенности монокристаллов GaSb (Si), выращенных в различных условиях тепломассопереноса. Установлено, что снижение интенсивности конвективных течений при выращивании кристаллов вертикальным методом Бриджмена с осесимметричным верхним подводом тепла в сравнении с методом Чохральского приводит к устранению микросегрегационных полос роста и к улучшению однородности электрофизических параметров материала. Наблюдаемая в отдельных областях кристалла повышенная плотность структурных дефектов вызывает, по данным трехкристальной рентгеновской дифрактометрии, существенные искажения кристаллической решетки, что вносит дополнительный вклад в неоднородность кристаллов. Выявлен ряд специфических особенностей рентгенотопографического изображения полос роста, обусловленных высокой концентрацией кремния и отклонением состояния примеси в кристалле от идеального твердого раствора замещения.

Доп.точки доступа:
Серебряков, Ю. А.; Коробейникова, Е. Н.; Захаров, Б. Г.; Ратников, В. В.; Шульпина, И. Л.

Найти похожие

53
П 844

Прохоров, И. А.
Рентгенотопографические исследования микросегрегации в кристаллах [Текст] / И. А. Прохоров, И. Ж. Безбах, Б. Г. Захаров, И. Л. Шульпина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 5. - С. 42-46 . - ISSN 0207-3528

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- микросегрегация в кристаллах -- рентгеновская топография
Аннотация: Представлены результаты использования методов рентгеновской топографии, цифровой обработки изображений и спектрального анализа сигналов для характеризации концентрационных микронеоднородностей в кристаллах. На основе особенностей деформации кристаллической решетки в таких слоисто-неоднородных кристаллах предложены методы оптимизации условий рентгенотопографического выявления полос роста с целью получения количественной информации об амплитуде и пространственных характеристиках флуктуации состава.

Доп.точки доступа:
Безбах, И. Ж.; Захаров, Б. Г.; Шульпина, И. Л.

Найти похожие

541.1
Л 557

Лидер, В. В.
Рентгеновская топография структурных дефектов с использованием двухкристального спектрометра [Текст] / В. В. Лидер // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2007. - Т. 73, N 12. - С. 25-30. - Библиогр.: с. 30 (19 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

541.1

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия. Химическая физика
Кл.слова (ненормированные):
двухкристальная рентгеновская топография -- двухкристальные спектрометры -- дефекты -- деформационные поля -- картография деформационых полей -- квазиплосковолновая топография -- плосковолновая топография -- рентгеновская топография -- спектрометры -- структурные дефекты -- топография дефектов -- фазочувствительная топография
Аннотация: Дается описание и проводится анализ методов двухкристальной рентгеновской топографии.

Найти похожие

539.2
А 674

Анисимов, В. Г.
Определение природы дефекта упаковки тремя независимыми методами рентгеновской топографии [Текст] / В. Г. Анисимов, Л. Н. Данильчук, И. Л. Шульпина // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2007. - Т. 73, N 9. - С. 44-46. - Библиогр.: с. 46 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

539.2

541.1

ББК 22.37 + 24.5
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела
   Химия
   Физическая химия. Химическая физика
Кл.слова (ненормированные):
Бормана эффект -- двухкристальная топография -- дефекты упаковки -- кремний -- Ланга метод -- метод Ланга -- методы рентгеновской топографии -- монокристаллы кремния -- природа дефектов -- рентгеновская топография -- рентгенотопографические методы -- ростовые дефекты упаковки -- топография -- упаковка монокристаллов -- эффект Бормана
Аннотация: Ростовые дефекты упаковки в монокристалле кремния изучались различными независимыми рентгенотопографическими методами: методом на основе эффекта Бормана, методом Ланга и методом двухкристальной топографии. Методика двухкристальной топографии в некоторых случаях дает большую информацию.

Доп.точки доступа:
Данильчук, Л. Н.; Шульпина, И. Л.

Найти похожие

539.2
Д 183

Данильчук, Л. Н.
Исследование дефектов структуры полуметаллов и полупроводников на основе монокристаллических сплавов (Bi + Sb) методами рентгеновской топографии [Текст] / Л. Н. Данильчук, А. О. Окунев, К. Г. Иванов, Ю. В. Тимофеева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 3. - С. 25-32. - Библиогр.: с. 31-32 (23 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

539.2

541.1

ББК 22.37 + 24.5
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела
   Химия
   Физическая химия. Химическая физика
Кл.слова (ненормированные):
Bi + Sb (сплавы) -- дефекты структуры полуметаллов -- дефекты структуры полупроводников -- сплавы -- монокристаллические сплавы -- рентгеновская топография -- топография -- методы рентгеновской топографии -- розеточная методика -- эффект Бормана -- Бормана эффект -- феноменологическая теория -- бормановский контраст -- монокристаллы -- рентгенотопографические методики -- полуметаллы -- полупроводники -- контраст интенсивности -- висмут -- сурьма
Аннотация: Рассматриваются возможности методов рентгеновской топографии при исследовании монокристаллов (Bi + Sb), полученных при различных условиях роста.

Доп.точки доступа:
Окунев, А. О.; Иванов, К. Г.; Тимофеева, Ю. В.

Найти похожие

Рентгеновская топография кристаллов алмаза в квазизапрещенных отражениях [Текст] / А. А. Ширяев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 10. - С. 767-770

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская топография -- кристаллы -- алмаз -- квазизапрещенные отражения
Аннотация: Получены рентгеновские топограммы кристаллов алмаза различной степени совершенства с использованием квазизапрещенного отражения 222. Показано, что применение таких отражений для рентгеновской топографии позволяет изучать распределение дефектов, влияющих на распределение электронной плотности, по сечению кристаллов.

Доп.точки доступа:
Ширяев, А. А.; Мухамеджанов, Э. Х.; Волошин, А. Э.; Морковин, А. Н.; Борисов, М. М.; Титков, С. В.

Найти похожие

Ткаль, В. А.
Моделирование теоретического контраста дефектов структуры различного типа с "зашумляющими факторами" [Текст] / В. А. Ткаль, И. В. Дзюба, Л. Н. Данильчук // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 59-65. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- рентгеновская топография -- эффект Бормана -- Бормана эффект -- поляризационно-оптический анализ -- дефекты структуры -- моделирование контраста
Аннотация: Приводятся результаты моделирования изображений дефектов структуры различного типа в монокристаллах 6H-SiC и Si с зашумляющими факторами (фоновой неоднородностью и зернистостостью контраста). Зная параметры, заложенные при моделировании изображений дефектов, можно при сопоставлении экспериментального и зашумленного теоретического контраста повысить надежность идентификации и расположения дефектов в объеме монокристалла, определить их количественные и качественные характеристики.

Доп.точки доступа:
Дзюба, И. В.; Данильчук, Л. Н.

Найти похожие

Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 785-788 : ил. - Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- кубический карбид кремния -- слои -- эпитаксиальные слои -- кубические эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия -- рентгеновская топография -- рамановская спектроскопия -- вольт-фарадные измерения -- спектроскопия -- 3C-SiC -- подложки -- 15R-SiC
Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Зубрилов, А. С.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С.

Найти похожие

10.

Суворов, Э. В.
О природе прямого изображения дефектов в дифракционных методах рентгеновской топографии [Текст] / Э. В. Суворов, И. А. Смирнова // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 12. - С. 2325-2329. - Библиогр.: с. 2329 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
прямое изображение -- дефекты -- рентгеновская топография -- дифракционные методы
Аннотация: Проанализированы закономерности рассеяния рентгеновского излучения в наиболее искаженной области кристалла, где локальные разориентации решетки, связанные с деформационным полем дефекта, максимальны. Высказано предположение о том, что одним из возможных механизмов образования прямого изображения является рассеяние волнового поля на псевдогранице в области локальных разориентаций, где кристалл выходит из отражающего положения вблизи оси дефекта, например ядра дислокации. На примерах численного моделирования секционных топограмм модельных дефектов продемонстрировано образование прямого изображения. В качестве модельного образца использовался совершенный монокристалл, внутри которого в определенном кристаллографическом направлении располагается тонкая трубка, заполненная тем же монокристаллическим материалом с ориентацией, отличной от основного кристалла. Следовательно, если модельный кристалл установлен в отражающее положение, то для области внутри трубки условия Брэгга не выполняются. Численные топограммы показывают, что прямое изображение образуется на границе трубки модельного кристалла.

Доп.точки доступа:
Смирнова, И. А.

Найти похожие

11.

544.22
С 873

Структурная диагностика синтетических монокристаллов алмаза с высоким коэффициентом отражения рентгеновского излучения [Текст] / С. А. Носухин [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 7. - С. 4-10 : 10 рис. - Библиогр.: с. 9-10 (8 назв. ) . - ISSN 0579-2991

УДК

544.22

ББК 24.52
Рубрики: Химия
Химия твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
синтетические монокристаллы алмазов -- жесткое рентгеновское излучение -- рентгеновская топография -- дефекты кристаллов -- синтетические алмазы -- рентгеновская оптика
Аннотация: Комплексный анализ высокосовершенных синтетических кристаллов алмаза, основанный на данных рентгеновской топографии, дифрактометрии высокого разрешения и оптической спектроскопии, позволил определить структурные параметры, обеспечивающие рекордное значение коэффициента брэгговского отражения для жесткого рентгеновского монохроматического излучения.

Доп.точки доступа:
Носухин, С. А.; Терентьев, С. А.; Бланк, В. Д.; Денисов, В. Н.; Поляков, С. Н.; Кузьмин, Н. В.; Мартюшов, С. Ю.; Кузнецов, М. С.

Найти похожие

12.

539.21:535
С 891

Суворов, Э. В.
Новый подход в понимании механизмов дифракционного изображения дислокаций в рентгеновской топографии [Текст] / Э. В. Суворов, авт. И. А. Смирнова // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 21. - С. 70-76 : ил. - Библиогр.: с. 76 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:535

535-34/-36

ББК 22.374 + 22.346
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Рентгеновские лучи. Гамма-лучи
Кл.слова (ненормированные):
дислокации -- изображение дислокаций -- дифракционное изображение -- механизмы изображения -- дифракция -- топография -- рентгеновская топография -- секционная топография -- численное моделирование -- методы численного моделирования -- рентгеновские лучи -- рассеяние лучей -- неоднородности -- кристаллические решетки -- дефекты -- рентгеновское излучение -- кристаллы -- особенности дифракции -- контраст дефектов -- дифракционный контраст -- рентгеновский дифракционный контраст
Аннотация: Методами численного моделирования и экспериментальной секционной рентгеновской топографии изучены закономерности образования дифракционного изображения дислокаций. Изучение рассеяния рентгеновских лучей на неоднородностях кристаллической решетки представляет интерес по нескольким причинам. Во-первых, контраст дефектов связан с фундаментальной проблемой - развитием динамической теории рассеяния рентгеновского излучения в реальных кристаллах. Во-вторых, знание особенностей дифракции позволяет качественно, а в ряде случаев и количественно, анализировать рентгеновский дифракционный контраст дефектов кристаллической решетки (измерять величины деформаций, определять знак и параметры вектора Бюргерса и пр. ).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/21/p70-76.pdf

Доп.точки доступа:
Смирнова, И. А.

Найти похожие

1-10 11-12

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)