Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=модель термического пика<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.
539.2
К 630


    Комаров, Ф. Ф.
    Модель термического пика для описания трекообразования в кристаллах полупроводников, облучаемых тяжелыми высокоэнергетическими ионами [Текст] / Ф. Ф. Комаров, В. Н. Ювченко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
германий -- дефекты -- ионная имплантация -- ионное облучение -- модель термического пика -- трекообразование -- фосфид индия
Аннотация: Впервые рассмотрена применимость модели термического пика для описания процессов дефектообразования и трекообразования в полупроводниковых кристаллах. Рассмотрено влияние таких параметров модели, как теплоемкость, теплопроводность, коэффициент электрон-фононной связи как функций температуры. Сравнение теоретических данных с результатами экспериментов для кристаллов InP и Ge, облучаемых тяжелыми ионами сверхвысоких энергий, свидетельствует об адекватности этого подхода и возможности получать количественные данные для таких характеристик, как температура локальной области около траектории иона, диаметры расплавленной области и экспериментально регистрируемой трековой области. В частности, предсказанный теоретически диаметр цилиндрической расплавленной области, образующейся при прохождении ионов Xe{+} с энергией 250 MeV в InP, составляет 20 nm, а диаметры регистрируемых методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного сечения треков составляют 7-15 nm


Доп.точки доступа:
Ювченко, В.Н.

Найти похожие

2.
539.2
А 620


    Амирханов, И. В.
    Применение модели термического пика для объяснения изменений структуры поверхности высокоориентированного пиролитического графита при его облучении быстрыми ионами \{86\}Kr и \{209\}Bi с высокими ионизационными потерями энергии [Текст] / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык [и др.]. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 5. - С. 3-12. - Доклад на международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" . - ISSN 0207-3528
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
высокоориентированный пиролитический графит -- графит -- тяжелые ионы -- облучение ионами -- температурные эффекты -- модель термического пика -- электрон-фононное взаимодействие
Аннотация: Изучены температурные эффекты в высокоориентированном пиролитическом графите при облучении тяжелыми ионами \{86\}Кr (253 МэВ) и \{209\}Bi (710 МэВ) в рамках трехмерной модели термического пика. Показано, что в случае облучения ВОПГ ионами висмута температура на поверхности мишени может превышать температуру сублимации при определенных значениях константы электрон-фононного взаимодействия. В то же время при облучении ВОПГ ионами криптона температура на поверхности мишени не превышает температуру сублимации в широком диапазоне изменений коэффициента электрон-фононного взаимодействия. Выполненные расчеты позволяют объяснить наблюдаемые изменения структуры поверхности монокристалла ВОПГ при облучении ионами \{209\}Bi и \{86\}Кr.


Доп.точки доступа:
Дидык, А. Ю.; Музафаров, Д. З.; Пузынин, И. В.; Пузынина, Т. П.; Саркар, Н. Р.; Сархадов, И.; Шарипов, З. А.; Взаимодействие ионов с поверхностью, международная конференция (Вторичная ответственность)

Найти похожие

3.


   
    Нелинейная модель термического пика в расчетах температурных эффектов в двухслойных структурах при облучении их тяжелыми ионами высокой энергии [Текст] / И. В. Амирханов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 12. - С. 58-66
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
модель термического пика -- двухслойные структуры -- облучение тяжелыми ионами -- тепловой контакт -- неидеальный контакт -- теплофизические параметры -- коэффициент конвективного теплообмена
Аннотация: В рамках модели термического пика в трехмерном случае рассчитаны температуры в двухслойных структурах, представляющих собой массивную подложку и нанесенный на нее относительно тонкий слой другого материала, при их облучении быстрыми тяжелыми ионами с высокими ионизационными потерями энергии. Детально исследованы изменения температур на границе раздела подложка/слой на примере двухслойной структуры Ni-W в зависимости от величины коэффициента конвективного теплообмена тета, характеризующего изменение градиента температур на границе раздела, а следовательно и определяющего тип теплового контакта. Расчеты проведены как для нелинейного случая с теплофизическими константами, зависящими от температуры, так и для линейного случая с не зависящими от температуры константами.


Доп.точки доступа:
Амирханов, И. В.; Дидык, А. Ю.; Музафаров, Д. З.; Пузынин, И. В.; Пузынина, Т. П.; Саркар, Н. Р.; Сархадов, И.; Шарипов, З. А.

Найти похожие

4.
538.95-405:539.12.04
И 755


   
    Ионные треки в аморфном нитриде кремния [Текст] / Л. А. Власукова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 2. - С. 226-228. - Библиогр.: c. 228 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.3 + 26.303
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

   Геология

   Минералогия

Кл.слова (ненормированные):
аморфный нитрид кремния -- атомно-силовая спектроскопия -- ионные треки -- модель термического пика -- нитрид кремния -- режим электронных потерь -- сканирующая электронная микроскопия -- температура плавления -- температурные поля -- травление треков -- электронные потери
Аннотация: Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si[3]N[4]/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20. 4 кэВ х нм[-1]). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика.


Доп.точки доступа:
Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Скуратов, В. А.; Дидык, А. Ю.; Плякин, Д. В.

Найти похожие

5.
51
Т 918


    Тухлиев, З. К. (Объединенный институт ядерных исследований, лаборатория информационных технологий, Россия).
    Моделирование фазовых переходов в материалах при облучении тяжелыми ионами высоких энергий / З. К. Тухлиев // Математическое моделирование. - 2012. - Т. 24, № 12. - С. 60-64 : 4 рис. - Библиогр.: с. 64 (9 назв. ) . - ISSN 0234-0879
УДК
ББК 22.19 + 22.19
Рубрики: Математика
   Вычислительная математика

Кл.слова (ненормированные):
термический пик -- модель термического пика -- фазовый переход -- энтальпия
Аннотация: В работе проведено исследование тепловых процессов в никеле при облучении его тяжелыми ионами урана в рамках модели термического пика с учетом фазовых переходов. Моделирование динамики фазовых переходов осуществляется на основе задачи стефана в рамках энтальпийного подхода. Численным моделированием получены размеры областей, где происходит процесс плавления, и проведен сравнительный анализ с моделью, где не учитываются фазовые переходы.


Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)